与非网 10 月 2 日讯,晶圆代工厂台积电昨日宣布,已于 2019 年 9 月 30 日在美国、德国及新加坡三地对格芯提出多项法律诉讼,控告格芯侵犯台积电 40nm、28nm、22nm、14nm、以及 12nm 等制程之 25 项专利。
台积电在此诉讼之中要求法院核发禁制令,禁止格芯生产及销售侵权之半导体产品,亦对非法使用台积电半导体专利技术与销售侵权产品之格芯寻求实质性的损害赔偿。
诉讼中的 25 项台积电专利涉及多种技术,包括 FinFET 设计、浅沟槽隔离技术、双重曝光方法、先进密封环与门极结构、以及创新的接触蚀刻停止层设计,这些特定技术涵盖成熟及先进半导体制程技术的核心功能。
台积电表示,格芯于 8 月 26 日对台积电、数家台积电客户以及相关客户的客户提出一系列侵权诉讼,公司相信该诉讼毫无根据,只是意图通过侵权诉讼来破坏台积电业务,而非以技术在市场上竞争,针对格芯的诉讼,台积电将全力捍卫,并已准备好在法庭上迎战。
台积电开创的专业集成电路制造服务商业模式,促成了规模达美金数千亿元的美国无晶圆厂集成电路设计产业。其在全球半导体供应链的合作与发展上扮演关键的角色,在过去五年间,台积电对美国供货商采购设备及服务的金额达约美金二百亿元
此外,台积电设置了严谨的项目来保护商业机密与技术,以及来自客户与其他授权台积电专业知识的公司及其技术,为了此项项目台积电在实体及信息安全上皆有庞大投资。
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