推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),继续扩充用于工业电机驱动应用的产品阵容,以进一步帮助客户解决他们的具体设计挑战。电机驱动系统正随着工业自动化及机械人激增。这些系统要求在恶劣工业环境中达到高能效、精准的测量、准确的控制及高可靠性。要有效地开发应用于工业电机驱动的半导体,需要先进的设计、集成有源和无源器件的能力、精密的封装包括基板材料,以及高质量和可靠性标准。

 

安森美半导体推出 NXH25C120L2C2,NXH35C120L2C2/2C2E 和 NXH50C120L2C2E,分别为 25、35 和 50 安培(A)版本的转移成型功率集成模块(TM-PIM),用于 1200 伏(V)的应用,提供转换器 - 逆变器 - 制动(CIB)和转换器 - 逆变器(CI)配置版本。这些模块包括 6 个 1200 V IGBT、6 个 1600 V 整流器和一个用于系统级温度监控的负温度系数(NTC)热敏电阻。CIB 版本使用一个附加的 1200 V IGBT 和一个二极管。新推出的模块采用转移成型封装,延长温度及功率的循环寿命。模块尺寸仅为 73 x 40 x 8 毫米(mm),具有可焊接引脚,CIB 和 CI 版本均具有一个标准化的引脚输出。

 

公司同时推出 NFAM2012L5B 和 NFAL5065L4B,扩充了智能功率模块(IPM)产品阵容,包括额定电压 650 V 和 1200 V,以及额定电流 10 A 至 75 A。这些三相逆变器集成了额定短路的沟槽型绝缘门双极晶体管(Trench IGBT)、快速恢复二极管、门极驱动器、自举电路、可选的 NTC 热敏电阻和保护,通过一个额定 2500 Vrms / 分钟的隔离提供紧凑可靠的模块,获 UL1557 认证。这些 IPM 具有直接键合铜基板和低损耗硅的特性,延长功率循环寿命和散热能力。

 

通过片上电流隔离,NCD57000 和 NCD57001 IGBT 门极驱动器透过减低系统复杂性实现紧凑、高效和可靠的门极驱动器设计。这些器件分别提供 4 A/6 A 供应电流和汲取电流,同时还集成了去饱和(DESAT)、米勒钳位、欠压锁定(UVLO)保护、使能(Enable)和稳压 VREF。

 

NCS21871 零漂移运算放大器以一个 45 µV 低输入偏置电压提供精确的信号调节,同时从 -40°C 至+125°C 维持该精度,低输入偏置漂移为 0.4 µV /°C。这些参数使其非常适合用于低边电流检测。

 

NCP730 LDO 稳压器提供 150 mA,输出电压精度为±1%,工作输入电压范围从 2.7 V 至 38 V 和具有低压降。集成的软启动可抑制涌入电流,在过载情况下提供短路和过热保护,使器件非常适合用于工业自动化应用。