与非网 12 月 17 日讯,据台媒中时电子报报道,中国台湾环保署 16 日进行新竹科学园区宝山用地第 2 期扩建计划项目小组初审会议,其中包括台积电 2 纳米厂的预定地。


不过在激烈讨论过后,环评委员认为仍有部分内容需要开发单位补充说明,决议让此案补正资料后再审。


竹科管理局表示,由于宝山用地一期扩建计划主要供制程研发与先期量产,为维持岛内半导体产业领先地位 ,因应近年 3 纳米和 2 纳米制程突破,现有厂房已无法容纳新一代机台,园区已无适当用地。

 

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台积电此前曾表示,其 2 纳米技术的研发和生产将在宝山和新竹进行,同时还进一步指出,它正计划拥有四个超大型晶圆厂,占地 222 英亩。


据台积电预计,2023 年会进行小批量风险实验,未来苹果、高通、英伟达、AMD 等都会成为其 2nm 技术的客户。


根据摩尔定律,自 20 世纪 70 年代初以来,集成电路上的晶体管数量大约每 18 个月翻一番。最终(从现在开始可能不会持续太久) ,摩尔定律将会终结,因为硬件将不可能进一步缩小。

 

目前的芯片从 2011 年的 22nm 工艺开始就使用 FinFET,即鳍式场效应晶体管,解决了晶体管变得更小所带来的问题。

 

直到工艺下降到 5nm 前,FinFETs 一直是很好的。当达到原子水平 (3 纳米是 25 个硅原子排成一行) 时 ,FinFET 开始出现漏电现象,可能不再适用于更进一步的工艺水平。

 

在 2nm 工艺上,台积电将放弃多年的 FinFET(鳍式场效应晶体管),甚至不使用三星规划在 3nm 工艺上使用的 GAAFET (环绕栅极场效应晶体管),也就是纳米线(nanowire),而是将其拓展成为 MBCFET(多桥通道场效应晶体管),也就是纳米片(nanosheet)。