上世纪80年代,在东芝工作的舛冈富士雄博士研发了NAND闪存,此后东芝的存储业务一直占据全球闪存业务的领先地位。

 

2017年,东芝因受到核电业务的影响,将存储业务拆分成东芝存储器公司。2019年,东芝存储器公司改名为铠侠(KIOXIA),是“memory”的日语单词“Kioku”和“价值”的希腊单词“axia”合并而来。此前,铠侠曾计划首次公开募股,但在2020年9月28日,铠侠宣布将推迟其IPO计划。

 

 

右三为铠侠电子(中国)董事长兼总裁岡本成之先生

 

作为全球领先的NAND闪存厂商,铠侠一直在努力推动闪存技术的发展。在从东芝存储器公司更名之后,铠侠首次以公开名义参加了日前举行的中国闪存市场峰会(CFMS2021)。对于更名后的首次亮相,铠侠电子(中国)董事长兼总裁岡本成之先生表示,他非常理解东芝这个品牌在中国广受客户和消费者喜爱。品牌名称从东芝切换到铠侠后,他们重要的工作就是尽可能提升铠侠品牌在客户群中的知名度。他也同时表示,铠侠目前在各种渠道展示品牌,提升知名度,两年以来凯侠品牌的提升是比较快的。“铠侠将继续为中国市场提供高效能、高品质NANDFlash和SSD产品,希望继续得到各位的大力支持。”岡本成之表示。

 

在参加完峰会的演讲后,铠侠电子(中国)董事长兼总裁岡本成之先生接受了包括《与非网》在内的众多业内媒体的采访,从存储产业的市场发展到技术趋势,发表了自己的独到观点。

 

 聚焦三大领域,力推多款SSD新品

 

近年来随着消费电子领域的需求增长,NANDFLASH 已成为手机、笔记本等主力存储介质,而可穿戴设备、 IOT 等应用兴起驱动NOR FLASH 成长。通过整合并购,NAND FLASH 市场集中度逐步提高,2011年起, LSI 收购Sandforce、SanDisk 收购IMFT、苹果收购Anobit、Fusion-io 收购IO Turbine。此后。2011-2019 年间,收购事件不断,2016 年西部数据收购Sandisk。到2019 年形成三星、铠侠、西部数据、镁光、 SK 海力士、Intel 主导的NAND FLASH市场格局。根据TrendForce的数据,2021年一季度铠侠占据了全球NAND闪存市场的18.7%,全球排名第二。

 

 

2019年 NAND FLASH市场竞争格局,资料来源:华经情报网

 

从企业级SAS开始,铠侠在企业级SSD市场已经耕耘了10多年,市占率大概在30%。本次峰会上,铠侠展示了多款旗下多款企业级、数据中心级、消费级三大领域领先的SSD产品。在铠侠擅长的企业级SASSSD领域,PM6是首款SAS24GSSD,能与现有SAS平台保持兼容。岡本成之表示,铠侠已经投放SAS4的SSD产品到市场上,未来将持续推广高性能的SAS,让客户享受到SSD最新的技术。

 

铠侠刚发布SCMSSD-FL6系列,基于自产的XL-Flash独特的闪存颗粒,支持双接口,在数据中心和企业级存储等应用中,实现超低延迟和高性能。FL6支持PCIeGen4,容量从800GB到3.2TB,拥有超高的耐久性可达60DWPD。铠侠即将向主要行业合作伙伴和客户提供FL6系列的样品。

 

另外,铠侠即将推出支持PCIeGen5及EDSEFE3.S接口的企业级SSD—CD7系列,将于今年第四季度推向市场。同时还预告了CM6的下一代产品,此产品支持PCIeGen5,并提供E3.S和2.5英寸两种接口产品,容量为1.6TB至30TB,预计明年夏季量产。

 

 寻求存储密度突破,从纵向到横向堆叠

 

由于在平面工艺上继续提升容量遇到了瓶颈,闪存生产商转向在垂直方向上提升容量,同时存储单元的比特位也从SLC,MLC提升到现在的TLC和QLC。

 

国际存储大厂对3D TLC NAND 的产品研发,来源:国金证券研究所

 

作为闪存的发明者,铠侠从2016年开始产3D闪存,此后铠侠的BiCS闪存已经使用在诸多应用中。同时不断的推进BiCS的层数增加,从48层到64层、96层、112层、162层甚至更高。铠侠认为,因为晶圆厂生产时间是和存储阵列的厚度同比例增长的,单纯的增加层数并不能降低生产成本。“从3D闪存来说,层数不太可能无限制的增加。随着层数的增加,成本和加工的工序也会增加。”

 

 

铠侠株式会社SSD部门技术执行官柳茂知

 

铠侠SSD部门技术执行官柳茂知在演讲中表示。对于闪存技术发展,不应以厚度增加为代价一味增加堆叠层数。为了增加平面密度,铠侠将在BiCS6162层闪存芯片中采用CUA结构,即CMOS电路配置在存储阵列下方,用单片晶圆中产出的芯片数量的增加可以弥补生产时间变长的影响。后续,铠侠还将引入CBA结构,即CMOS/存储阵列键合,存储阵列和周边电路会分别生产。最终,将两片晶圆键合在一起以形成一个存储器芯片。另外,PLC和TwinBiCS也是铠侠提升平面存储密度的重要途径。为了面对市场的挑战与提供目前未被满足的需求,铠侠为闪存和固态硬盘的行业发展与需求,努力在存储上寻求创新与突破。

 

除了垂直方向叠高,铠侠也在水平方向不断缩小DIE的尺寸,探索单位存储技术如何降低成本。“友商说3D可以叠到1000层,我们研究了不仅是垂直叠,也研究了横向堆叠,我们也在不断的想增加其物理极限。”岡本成之表示。

 

他表示,新一代的BiCS6比BiCS5DieSize小30%,预计明年会投入量产。除此之外,铠侠也在积极探索新的技术,希望能在有限的单元内存储更多的信号,同时降低单位存储的成本。对于标准的发展趋势,岡本成之表示,铠侠第一个向市场出货PCIe4.0产品,同时也会在今年的Q4推出PCIe5.0系列产品,从目前的测试认证,到产业链配合发展,差不多要半年时间。预计2022年PCIe5.0产品会被市场广泛接受。

 

 迎接需求增长,提前布局产能扩充

 

从需求端来看,根据IDC的预测,预计到2025年全球的数据量将暴增到175ZB。这对于存储产业的玩家来说是机遇也是挑战。技术驱动下,储存器容量呈指数级增长,技术代差前后往往是赢者通吃的局面。为了现有产能不被技术进步淘汰,倒逼厂商大笔投资研发,且上不封顶。由于存储需求的不断增长,包括三星、铠侠、SK海力士、美光在内的各大闪存厂商都在积极的扩充产能。

 

 

NANDFlash 各厂商扩产情况

 

铠侠东京本社SSD部门技术执行官也在本次峰会上介绍了铠侠公司的总部、研发中心、制造工厂的分布状况。据了解,目前铠侠最大闪存产能的四日市工厂,位于东京以西约300公里的地方,新建的Y6,Y7两栋厂房,专门生产3D闪存。北上工厂的K1厂房也是专门生产3D闪存的地方。而2022年将要投产的K2、Fab7主要也是针对新一代的BiCS闪存进行扩产。

 

岡本成之认为,尽管目前受到疫情和全球经济增长放缓的诸多影响,但中长期来看存储的需求是不会改变的。他比较看好5G手机中闪存容量的不断增长,铠侠主要提供UFS产品来应对需求的扩大。此外,他认为后疫情时代,在线需求会进一步增长,需求不会因为疫情好转而回调。针对车载存储应用,他认为L5级别自动驾驶要求更大的存储容量,目前车规级别的UFS容量可能会不够。接下来车载存储可能会普及1T以上的SSD产品。