2015 年匆匆将过,在这一年中全球半导体业发生了许多故事,哪些值得我们去回顾:

预测大修正

年初时众多市场分析公司预测今年半导体业增长在 3%-7%,然而时至年底纷纷都调低至持平,或稍有下降。

业界有兴趣探个究竟为什么?三句话:终端弱,美元强以及中国缓。

Fabless 下降

市场研究机构 IC Insights 的最新预测,2015 年全球芯片供货商排行榜上,将出现 25 年以来第二次芯片制造商 IDM 表现胜过无晶圆厂 fabless 的情形。

根据 IC Insight 于 12 月的数据,今年全球 Top 10 fabless 的总营收预料将下滑 5%至 589.19 亿美元,大部分都是受到高通的 fabless 营收下降 20%的影响,它由 2014 年的 200 亿美元至今年的 160 亿美元。需要说明高通的营收有两部分组成,除了 fabless 之外,还有占其营收 1/3 强的授权费用所得。IC Insights 指出,高通营收骤降,表面上看是因为三星决定改采用自家的 Exynos 系列处理器、不再向高通下订单,实际上反映一个趋势,那些系统制造商如苹果,三星,华为等为了增强产品的差异化,纷纷都自行研发处理器芯片。

另外,fabless 排名第三的联发科今年营收也料将萎缩 8%至 65.04 亿美元。

并预测 2015 年全球 fabless 销售额将下降 5%,为 799 亿美元,相比去年为 841 亿美元。

兼并再次加剧

根据研究公司 Dealogic 统计,2015 年到 12 月中旬为止半导体业并购交易规模已突破 1,200 亿美元,创下历年来的最高纪录。交易金额已达到去年全年的 4 倍以上。

自 1972 以来全球前十大半导体公司的市场份额一直保持在一定水平内,但今年大公司之间的强强联合以及近似疯狂的并购,打破了这一规律。2015 年,全球前十大半导体公司的市场份额比前 42 年的最高点上升了 3%。有观点称,按照这样的节奏下去,到 2020 年全球半导体公司就会“大一统”了,大家都为一家公司工作。这种说法显然有些夸张,但不可否认的是,今年的半导体企业并购不同寻常,可能绝非是终点。

代工竞争更加激烈

总体上 2015 年对于代工业是一个挑战之年,可能会有适中的增长。基于先进制程的代工的客户群进一步兼并减少,以及由于成品率问题全球代工在 16/14nm finfet 工艺上可能会停留更久。

从先进制程技术,大部分代工制造商都进入一个新阶段,如格罗方德,三星及台积电都己能由传统的平面工艺,28nm,或 20nm 过渡到 16nm/14nm 的 finFET 工艺,而英特尔己经开始进入 14nm 的第二代 finFET 工艺量产。代工制造商期望在 2016 年底能开始 10nm 的试产。

尽管业界已经采用 finFET 工艺,但是先进工艺制程的平面 CMOS 市场仍相当有活力,实际上 28nm 仍是目前众多应用市场的佳品。2015 年就单个 28nm 节点可能产出 10.0B 美元的代工销售额。

一个不争的事实,无论是芯片制造商,或是它的代工伙伴,只要能进入苹果的供应链就一定兴旺,因为苹果的订单量大有保障。 未来非常可能首先是在先进制程代工中开始兼并,同时另一方面代工制造商会开始兼并 200mm 的产能。

2015 年全球纯代工销售额可能增长不到 10%,而去年为 421 亿美元。

先进制程步伐不停

尽管全球半导体业增长的步伐减缓,但是从先进制程方面没有停步,反而加快。英特尔,三星及台积电三足鼎立,并领先于全球的态势越来越突出。

它们在突破 16nm/14nm 制程的同时,英特尔,三星与台积电同样分别开发 10nm finFET 制程。并期望在 2016 年底能开始 10nm 的试产。

Gartner 的 Wang 说,三星与台积电都在积极地向 10nm 迈进, 但是看起来在关于 10nm 的前景方面在台积电和三星之间有不同的意见。台积电的观点认为 10nm 不会是个长寿命节点,因为 10nm 与 16nm/14nm 相比从速度上才高出 25%,不占太大的优势。所以台积电认为未来 7nm 可能更持久。而三星有不同的看法,认为与 14nm 相比,10nm 一定会更加成功。

英特尔,三星及台积电三家在先进工艺制程方面,都在暗中使全力较劲。由于都是基于 finFET 工艺,买的几乎是同样的设备,分析它们几乎处于同一水平上,至少不存在那家有明显的优势。

应用材料公司在今年的 Semicon Taiwan 强调,半导体产业的重大技术转折点,必须依靠材料创新来实现。特别是在目前下一代 EUV 光刻技术尚未到位,预计要到 7 纳米后才会上线之际,现阶段必须透过材料创新与制程进展来实现目标。在晶片上做制程就像“造桥铺路”一样,在确保电路够稳固可靠后,必须再加上材料工程进行调整,才能为客户提供实现技术转折点所需的差异化产品与服务。3D NAND 预计将在 2018 年达到 100 万片的月产能,提高 85%,并随着层数从 36 层增加到 48 层,带来 50-70%的市场规模成长。

从目前的进程半导体业在先进制程方面有可能迈入 5 纳米。

另外三星与意法半导体合作开展研发的 FD-SOI(全耗尽型 SOI)工艺开始投片生产 28 纳米芯片,法国半导体公司 Soitec SA 为其提供 SOI 基底材料。除意法半导体外,还有其他的客户进入排片队伍。

据报道称,三星 2015 年己开始制定多个晶圆代工生产线运营 FD SOI 计划,并将在 2016 年推出可用的物理设计工具包(PDK)以及用户所需的 IP 生态系统。

存储器表现平平

存储器是产业的风向标。因此 2015 年全球存储器业表现平平,据 TrendForce 的预测今年存储器总营收可能仅增加 1.8%。

据 IC Insight 预测数据,2015 年全球存储器业总营收 834 亿美元,其中 DRAM 占 63%,为 525.4 亿美元,Flash 占 35%,为 292 亿美元,其中 NAND 闪存占 32%,为 267 亿美元及 NOR 闪存占 3%,为 25 亿美元。

2015 年受到需求面不振、持续供过于求的影响,DRAM 价格呈现显着衰退,尤其以标准型存储器最为明显。TrendForce 旗下存储器储存事业处 DRAMeXchange 调查显示,在寡占市场型态下,虽然小幅供过于求且价格持续下滑,各供应商生产仍保持纪律,未有明显新增产能,因此延续 2013 年与 2014 年态势,今年 DRAM 各厂仍维持全面获利。

中国半导体业的地位节节上升

近年来由于中国半导体业的努力与进步,它的变化己引起全球业界的关注。如 WSTS 己经将中国半导体业的数据从原先并在亚太地区中开始单列。并认为导致今年全球半导体业态势转弱的三个因素中,有一个是由于中国的经济放缓。

另外,全球顶级大厂如三星,英特尔及台积电等都在中国己建,或者新建最先进制程的 12 英寸生产线,因此对于中国半导体业将面临更激烈的竞争环境。

近期紫光进行疯狂的连续投资入股台湾地区的三家封测厂的行动,己引起岛内的巨大反响。

如中国在传感器,模拟及分立器件都是全球第一位,依出货量计,它们分别消费了全球的 50%,41%及 40%。

而且与全球 IC 的平均销售价格 ASP 相比,中国的 IC ASP 低 16%。

另外,近几年全球 ICT 产业重心快速移向亚洲,中国成长尤其惊人。如 2000 年时,中国在电子零组件出口全球占比不过 2.1%,到 2013 年已到 19.8%,占比已超越台湾。

十年来,电子零组件出口市场全球占比有了很大的改变,2000 年日本第一,占比达 14.2%,现在是中国最大。

中国半导体业正处于大的变革之中,去年大基金的推出是一个重要标志。表面上看大基金似乎解决了企业的融资难题,实际上更深层次的作用在于要解决一个中国半导体业迅速向市场化机制过渡的问题。通过获得资金来提高企业的竞争实力,而只有在企业的竞争力提高,获利能力提升时才有可能向市场化机制过渡,因此大基金可看作是产业发展中的桥梁作用,其最终目的是通过提升企业的竞争实力,而让产业加速向市场化机制过渡。

中国经济增速放缓已经影响到整个半导体业,如果下一步随着中国半导体业的实力地位提升,它采用价格下降的策略,那可能将会对于全球半导体业产生更大的影响。