由于终端市场需求趋缓,在供给提升速度大于需求成长速度下,TrendForce 旗下拓墣产业研究所预估 2016 年全球晶圆代工产值年成长仅 2.1%,半导体大厂的竞争将更加激烈。


估计 2016 年三大半导体制造大厂资本支出金额预期较 2015 年成长 5.4%,其中,英特尔(Intel)调升 30%达 95 亿美元、台积电(TSMC)调升 17%达 95 亿美元,三星(Samsung)则逆势调降 15%,来到 115 亿美元。拓墣表示,今年半导体大厂的资本支出预计至 2017 年才有机会对营收产生贡献。

台积电 2016 年有三大投资重点

拓墣表示,在上述半导体三巨头,中台积电是唯一的纯晶圆代工厂,与客户无直接竞争关系,可专注于制程技术的开发。2016 年台积电资本支出约 70%用于先进制程的开发,其中大部分用在 10 奈米制程技术,可见台积电对 10 奈米制程研发的重视。

台积电资本支出的 10%则将持续投入 InFO 技术的开发;InFO 技术有散热佳、厚度和面积缩小、成品稳定度高的优势,已有少数大客户开始投单,预期未来将有更多客户陆续投入。为了就近服务广大的中国市场,台积电规划 30 亿美元用于中国南京 12 寸厂的建置,预期在 2018 年投产。今年南京厂计画先投入 5 亿美元,2017 与 2018 年将增加投资力道。

 

三大半导体厂资本支出

三星 2016 年以半导体事业为重心

智慧型手机是三星最重要的业务,在终端市场需求趋缓、手机差异化缩小的情况下,三星受到苹果(Apple)与中国品牌的激烈竞争。根据三星财报显示,2015 年营收年衰退 2.6%,净利下滑 20.6%。相较智慧型手机,去年三星半导体营收年成长 20%、记忆体年成长 17%,LSI 业务年成长则约 27.7%,表现十分亮眼。

拓墣指出,2016 年三星的智慧型手机业务拓展仍不乐观,除加速开发创新业务,将更加重视晶圆代工业务,采取积极抢单的策略。2016 年三星 115 亿美元的资本支出中,LSI 业务会维持与 2015 年 35 亿美元的相同水准。

英特尔扩展记忆体相关业务

英特尔虽然在 14/16 奈米制程技术开发上领先,但台积电与三星若在 10 奈米的技术上赶超,将使英特尔在 CPU 产品上面临强大的竞争压力,严重挑战英特尔自 1995 年来的领先地位。2016 年英特尔将持续扩大资本支出以维持制程领先,相关资本支出约达 80 亿美元。

在资料中心的竞争中,2015 年英特尔与美光(Micron)联合发表包含 3D-NAND 与 Xpoint 等用于记忆体的技术,此外更宣布投资 25 亿美元把大连厂打造成记忆体制造厂。估计 2016 年英特尔的资本支出中约有 15 亿美元将投资在记忆体相关业务。