意法半导体最新的 900V MDmesh™ K5 超结 MOSFET 管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级最好的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。

900V 击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有首个 RDS(ON)导通电阻低于 100mΩ的 900V MOSFET 管,是 RDS(ON) 电阻最低的 DPAK 产品。业内最低的栅电荷(Qg)确保开关速度更快,在需要宽输入电压的应用领域,实现更大的配置灵活性。这些特性确保标准准谐振电路、主动钳位设计等各种反激式转换器具有高能效和可靠性,覆盖低至 35W 高至 230W 的额定功率范围。此外,低输入输出电容(Ciss,Coss)可实现零电压开关,使半桥 LLC 谐振转换器的电能损耗最小化。

新器件的高安全系数和优异的动态特性让设计人员能够提高各种产品的性能,例如服务器电源、三相开关式电源(SMPS)、LED 照明电源、电动汽车(EV)充电器、太阳能板、焊接机、工业设备驱动系统和工厂自动化。

意法半导体 MDmesh K5 系列超结晶体管产品种类繁多,包括 800V、850V、900V、950V、1050V、1200V 和 1500V 额定电压的产品。再加上灵活的封装选择,包括 TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247 长引脚、IPAK 和 I2PAK,以及 D2PAK 和 DPAK 表面功率封装,意法半导体为设计人员提供丰富的超结超高电压(VHV)MOSFET 产品。

最新的 900V MDmesh™ K5 MOSFET 管即日上市,采用 DPAK 封装的 STD4N90K5。