中芯国际延揽前三星电子(Samsung Electronics)、台积电技术高层梁孟松后,首次于线上法说会中现“声”说法,他表示非常看好中芯在产业中的机会与位置,但也深具挑战;针对外界最关心的高阶制程进度,共同执行长赵海军表示,先进制程 14 纳米 FinFET 将于 2019 年量产,第二代 28 纳米 HKMG 制程也会于 2018 年底问世,外界都睁大眼睛等着检视成绩单。


中芯国际 15 日的线上法说中,仍是由赵海军主持会议,梁孟松仅简短发言,代表加入新团队后的首次现“声”,也满足外界的好奇心。同时,赵海军也指出,梁孟松是以共同执行长的身分加入,因此不会只是负责技术而已,也会参与策略面。


中芯国际董事长周子学表示,作为中国最重要的半导体公司之一,一直在思考如何提升公司竞争力,这几年来也持续聚焦、整合资源,更在今年 10 月建立了新的领导团队,随着梁孟松的加入,可加强中芯制定技术的能力,拉近与对手的技术差距,相信新团队会带领公司到新高度,梁孟松也可用过去成功、卓越的半导体经验,让中芯国际的未来更美好。

 

梁孟松则是表示,很荣幸接下此职务,中芯在半导体产业中具有很好的位置与机会,但也深具挑战,很高兴与赵海军和团队合作。


针对外界询问梁孟松加入中芯国际的最大任务,众所皆知是高阶制程技术的进度。中芯表示,将在 2019 年量产 14 纳米 FinFET 制程技术。意即,梁孟松要用两年的时间,帮中芯国际把 14 纳米 FinFET 制程世代追上来,业界认为,很挑战,但不是不可能,因为已经准备很久了,很期待,也会持续关注。


在 28 纳米制程上,中芯也提出三阶段的规划蓝图。赵海军指出,第一阶段的 polySion 制程已经量产,第二阶段是第一代的 HKMG 制程(中芯称为 HKC 制程)已经在今年第 2 季开始产出,目标是 28 纳米突破 10%营收,而第三阶段是第二代的 HKC 制程,预计在 2018 年底量产。


除了先进制程的布局,随着梁孟松的加入而大踩油门往前冲之外,中芯也表示,公司投入快闪存储器 NOR Flash、微控制器(MCU)、传感器 CMOS Sensor、高压(HV)等制程技术平台,这些都是用到既有成熟制程的 fab filter 产品,且 95%的机台是相容于逻辑制程,可以根据客户对于需求来规划,做产能调配。


展望未来,中芯国际表示,这两年是进入了过渡期,为下一阶段的成长把技术和产能备妥,而短期方面,看好的成长动力包括 28 纳米制程、快闪存储器、指纹辨识芯片、电源管理芯片等,会持续将资源聚焦在关键的技术平台。


针对 2017 年第 4 季的营运展望,中芯国际指出,预计营收成长 1~3%、毛利率 18~20%。


在第 3 季财报上,营收为 7.69 亿美元,较上季成长 2.5%,毛利率为 23%,上季 25.8%和去年同期 30%减少,每股净利为 0.01 美元。在制程技术上,28 纳米制程营收成长 38.9%,0.18 微米制程成长 33.8%。

 

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