2017 年 11 月 24 日,德国慕尼黑讯—凭借 600 V CoolMOS CFD7,英飞凌科技股份公司推出最新的高压超结 MOSFET 技术。该 600 V CoolMOS CFD7 是 CoolMOS 7 系列的新成员。这款全新 MOSFET 满足了高功率 SMPS 市场对谐振拓扑的需求。它的 LLC 和 ZVS PSFB 等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和 电动汽车充电站等高功率 SMPS 应用。
 
 
 
 
 
该 600 V CoolMOS CFD7 的前身是 CoolMOS CFD2。新 MOSFET 的效率比它的前身或竞争性产品高出 1.45%之多。它不仅拥有快速开关技术的所有优势,还兼具高换相稳固性,同时不影响在设计过程中的轻松部署。该 600 V CoolMOS CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外,其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69%之多。该 600 V CoolMOS CFD7 可为 THD 和 SMD 器件提供业内领先的解决方案,从而能够支持高功率密度解决方案。