Feb. 13, 2018 ---- 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,2017 年第四季的 DRAM 产业营收表现再创历史新高。从价格方面来看,受到行动式内存接棒涨价所带动,以及智能手机旗舰机种的旺季效应,以三星为首的 DRAM 厂拉抬行动式内存报价,带动行动式内存在第四季有 5-20%不等的涨幅(取决于不同的容量),而其余各类 DRAM 产品合约价亦普遍较前季再上涨约 5-10%。2017 年第四季 DRAM 产值较上季再成长 14.2%,全年产值成长率达 76%。
 
DRAMeXchange 资深研究协理吴雅婷指出,展望 2018 年第一季,PC-OEM 厂已陆续议定合约价格,就一线大厂订价来看,PC DRAM 均价已来到 33 美元,较上一季平均涨幅约达 5%;以北美四大网络服务提供业者为首的数据中心拉货动能仍强,带动本季服务器内存价格上涨 3-5%。至于智能型手机第一季买气较原先预期低迷,加上 NAND 跌价与中国发改委因素影响,行动式内存价格涨幅较先前收敛,平均价格小幅上涨约 3%。从整体产值来看,DRAMeXchange 预估,2018 年 DRAM 产业产值将成长超过 3 成,规模达 960 亿美元。
 
观察各厂 2017 第四季营收表现,三星依然稳坐 DRAM 产业的龙头,营收达 101 亿美元,较上季成长 14.5%,再度创下历史新高; SK 海力士营收冲至 63 亿美元,较前季成长 14.1%,两大韩厂的市占率各为 46.0%与 28.7%,合计已囊括 74.7%的市占率;美光集团仍旧维持第三,营收达 46 亿美元,季增 13.4%,市占 20.8%。
 
受到价格持续上涨以及制程微缩所带来的成本效益,三星第四季度营业利益率再度改写历史新高,由 62%上升至 64%;SK 海力士亦从第三季度的 56%再提升至 59%;美光则从 50%拉升至 53%。展望 2018 年第一季,受惠于 DRAM 价格持续上涨与制程转进所带来的成本效益,三大厂在营收表现上可望再创新猷,各家获利率也可望进一步提升。
 
三星开启新一波扩产计划,海力士 2019 年开出新产能计划不变
从技术面来看,三星今年的目标除了持续提升 18nm 制程的产出比重外,为期近两年 DRAM 涨价带动 DRAM 供货商的高获利,以及中国潜在竞争者的加入,也让三星决定展开新一波的扩产计划,将原本规划做 NAND Flash 的平泽厂二楼空间投入生产 DRAM,一方面因应 DRAM 供给吃紧状况,另一方面藉由减少未来 NAND Flash 的投片量,来抑制 NAND Flash 的跌价速度,对此,DRAMeXchange 指出,此举对整体内存产业而言属健康发展而并非坏事。
 
此外,SK 海力士去年底开始导入 18nm 的生产,然而,进入 1Xnm 世代制程难度高、转换不易,SK 海力士目前仍致力于提升其 18nm 良率;扩厂计划则维持不变,SK 海力士最快要到 2019 年才会在中国无锡新建的第二座 12 英寸厂看到产能开出。美光在技术布局方面,台湾美光内存(原瑞晶) 17nm 目前产出比重已超过 9 成,预计今年第二季初将完成转换,而台湾美光晶圆科技(原华亚科)计划今年中开始进行 20nm 往 17nm 的转换,预计今年年底将可望有一半产能转往 17nm 生产,并于明年上半年全数导入。
 
台系厂商部分,南亚科第四季营收较前一季大幅成长 26.9%,主要归功于 20nm 转换良率超乎预期,以及价格持续走扬带动。20nm 的成本效益拉升营业利益率至 38.9%,较前一季成长 7 个百分点。展望未来,由于该公司 20nm 良率继续提升,将会持续改善其成本结构,增加获利空间。
 
力晶科技方面,2017 年第四季 DRAM 营收季持平,主要还是替晶豪科、爱普等 IC 设计业者代工的获利较佳,力晶本身 DRAM 产能转向更高毛利的产品;华邦电方面 DRAM 营收则下滑 2.2%,主要因为 DRAM 产能受到 NOR Flash 产能压缩所导致。