三星电子(Samsung Electronics)与高通(Qualcomm)宣布,预计将双方长达十年的晶圆制造合作关系扩展至极紫外光(EUV)制程,包括高通下一代 Qualcomm Snapdragon 5G 行动晶片,也将采用三星 7 纳米 LPP(Low-Power Plus)EUV 制程,以缩小晶片尺寸,实现更大的电池空间及更轻薄的设计。


三星晶圆代工业务与营销团队执行副总裁 Charlie Bae 表示,该公司很高兴能与高通继续扩大于 5G 技术上的合作关系,这次的合作对三星晶圆代工业务而言是重要的里程碑,因为这代表高通对三星晶圆制程技术的信心。


据悉,三星于 2017 年在 7 纳米制程中,首度导入极紫外光微影技术,希望可借此突破摩尔定律。和 10 纳米 FinFET 制程相比,7 纳米 LPP EUV 的制程工序较少,可提升 40%面积使用效率、良率较高,且性能增加 10%,功耗则降低了 35%。


高通希望透过 7LPP EUV 制程技术,能有效减少 Snapdragon 5G 行动晶片的尺寸,减少占位空间,使原始设备制造商(OEM)能有更多空间增加电池容量或是进行薄型化设计;高通指出,透过先进的制程技术与晶片设计,预期电池寿命将会显著提升。


高通旗下子公司,高通技术公司(Qualcomm Technologies, Inc.)供应链管理与采购部门高级副总裁 RK Chunduru 表示,与三星合作,透过 7nm LPP EUV 技术,在制程流程改变与先进晶片设计相结合的情况下,该公司新一代 Snapdragon 5G 行动晶片组将获得更多优势,进而提升未来 5G 设备的用户使用体验。