Qualcomm 预计其未来的骁龙 5G 移动芯片组将采用三星的 7 纳米 LPP EUV 制程工艺
 
全球先进半导体技术领导者三星电子和 Qualcomm Incorporated(NASDAQ: QCOM)子公司 Qualcomm Technologies, Inc. 今日宣布,双方计划将长达十年的代工合作关系扩展至 EUV 光刻制程工艺,包括采用三星 7 纳米 LPP(Low Power Plus)EUV 制程工艺制造未来的 Qualcomm®骁龙™5G 移动芯片组。
 
通过采用 7LPP EUV 制程工艺,骁龙 5G 移动芯片组的芯片尺寸将更小,从而为 OEM 厂商即将推出的产品提供更多可用空间,以支持更大电池或更纤薄设计。工艺改进与更先进芯片设计的结合预计将带来显著提升的电池续航。
 
去年五月,三星推出其首款采用 EUV 光刻解决方案的半导体制程工艺 7LPP EUV。EUV 光刻技术的部署预计将打破摩尔定律的壁垒,为单纳米半导体技术的发展铺平道路。
 
相较于其前代 10 纳米 FinFET 技术,三星的 7LPP EUV 技术通过更少工艺步骤和更佳良率,不仅极大地降低了工艺复杂性,也带来了高达 40%的面积效率,同时实现 10%的性能提升或高达 35%的功耗降低。
 
Qualcomm Technologies, Inc. 供应链及采购高级副总裁 RK Chunduru 表示:“我们很高兴能够与三星共同引领 5G 移动行业。通过采用 7 纳米 LPP EUV,我们全新一代骁龙 5G 移动芯片组将充分利用工艺改进和先进的芯片设计,以提高未来终端的用户体验。”
 
三星电子代工业务销售及市场执行副总裁 Charlie Bae 表示:“我们很高兴扩大与 Qualcomm Technologies 的代工合作关系,在 5G 技术中采用我们的 EUV 制程工艺。此次合作是我们代工业务的里程碑,表明了对于三星领先制程工艺的信心。”