台积电已向竹科管理局提出土地需求申请获准,启动竹科新研发中心建设,最快明年下半年动工。据悉,台积电竹科新研发中心总投资高达上千亿元,再加上今年 1 月下旬动土的南科新建晶圆 18 厂、竹科总部 5 纳米厂,以及后续 3 纳米投入的资金,台积电未来在高端制程将投入近万亿元人民币。


台积电最新申请的竹科新研发中心,紧邻竹科总部,将是串连先进制程生产与研发的重要中枢。先前台积电对董事长张忠谋预告,四年后将推动 3 纳米制程量产。


而今年 1 月下旬动土的南科新建晶圆 18 厂有望成为全球第一个量产 5 纳米的晶圆厂。据集微网了解,台积电 5 纳米总投资额超过 7000 亿元新台币。根据规划,18 厂的第 1 期工程,将在 2019 年完成装机并进行风险试产,并且将于 2020 年开始正式量产。整体 5 纳米的 3 期工程完工之后,预计在 2021 年达成满载年产能高达 100 万片 12 寸晶圆的目标。


除此之外,在 7 纳米制程领域,台积电已经拿到百分之百的市场份额,预计将于今年第二季度投入量产,第四季度达到最大产能,收入贡献比例也将达到 10%。据台积电透露,7 纳米工艺已经获得 50 多家客户的订单,涵盖智能手机、游戏主机、处理器、AI 应用、比特币矿机等等。


相较之下,在高端制程技术的进展方面,台积电的竞争对手三星、GlobalFoundries,以及英特尔也都紧追不舍。其中,三星近日已宣布与高通扩大晶圆代工业务合作,包含高通下一代 5G 移动芯片,将采用三星 7 纳米 LPP 极紫外光(EUV)制程。


据悉,高通在 MWC 2018 前夕发布了业界传输速率最高的 X24 基带芯片,采用 7 纳米制程生产,而整合 X24 的骁龙 855 手机芯片也将在今年底采用 7 纳米制程投片。业界人士指出,高通今、明两年 7 纳米 LTE 芯片代工订单已由台积电拿下,明年下半年试产的 5G 芯片则选择三星 7 纳米极紫外光(EUV)制程生产。


同时,据韩媒透露,三星计划将投入 6 兆韩元(相当于 56 亿美元)升级晶圆产能。位于华城市的晶圆新厂将安装超过 10 台 EUV 光刻设备,由于每台 EUV 设备要价皆多达 1,500 亿韩元,因此仅采购机台费用就达到 3~4 兆韩元。此外三星 6 纳米晶圆厂的建设计划,也将在近期公布。


而 GlobalFoundries 也紧跟台积电 7 纳米量产脚步,已宣布其位于美国纽约州 Fab 8 晶圆厂,计划 2018 年稍晚将开始风险试产 7 纳米芯片,2019 年导入量产。


相对而言,英特尔目前还处于 10 纳米工艺的研发阶段,但是英特尔宣称其 10 纳米制程跟其他晶圆代工厂的 7 纳米制程处于同一等级。据路透社近日报道,2018 ~ 2020 年英特尔将在以色列投资 50 亿美元。英特尔此前已表示,计划把该工厂的制造工艺从 22 纳米升级到 10 纳米,生产更小、速度更快的芯片。