近日,联发科在 MWC2018 上发布了 Helio P60,它基于台积电 12nmFinFET 工艺打造,采用 4 颗 Cortex A73 大核+4 颗 Cortex A53 小核组成,CPU 最高频率为 2.0GHz,GPU 为 Mali-G72 MP3,频率为 800MHz。

 

它最高支持 8GB LPDDR4X 内存,闪存最高支持 UFS 2.1。

 

从规格不难看出,联发科 Helio P60 定位中端,其对标的是高通骁龙 6 系芯片。不过对于高通来说,联发科似乎并没有对其构成威胁。

 

据业内人士@草 Grass 草透露,2018 年下半年高通骁龙 6 系以上芯片全线升级为 10nm 工艺制程,并开始向 4 系渗透,对联发科形成全面包围之势。

 

这次升级,不仅使高通骁龙 6 系芯片性能有所提升,功耗、发热控制也会更加优秀,届时对联发科 Helio P60 带来不小的压力。

 

根据此前曝光的消息,高通下一代中端芯片骁龙 670 将采用 10nm 工艺制程,其 CPU 内核将会以 big.LITTLE 架构的形式呈现。

 

它有 2 颗高端定制 Cortes A-75 内核,用 Kryo 300 Gol 架构搭建;还有 6 颗低端定制 Cortex A-55 内核,用 Kryo 300 Silver 架构搭建。低端内核最高时钟速度约为 1.7GHz,高端内核可达 2.6GHz。