这一年来有关国内公司进军内存产业的消息甚嚣尘上,紫光公司凭借原有的英飞凌、奇梦达基础在 DDR3 内存上已经作出了突破,小批量生产了 DDR3 内存,下半年还会推出更主流的 DDR4 内存芯片,正在努力追赶国际主流水平。但是放眼整个内存市场,DDR5 内存很快就要来了,更可怕的是未来即便是 DDR5 内存也很可能被更新的技术淘汰,业界已经有人提出了 DDR 内存将死的看法,未来需要高带宽的产品将转向 HBM 内存,2020 年会有 HBM 3 内存,2024 年则会有 HBM 4 内存,届时带宽可达 8TB/s,单插槽容量可达 512GB。

 
对于 HBM 内存,DIY 玩家可以说也是相当熟悉了,AMD 在 2015 年的 Fury 系列显卡上首次商用第一代 HBM 技术,超高的带宽、超低的面积占用彻底改变了当时的显卡设计,随后 NVIDIA 在 Tesla P100 上商用了 HBM 2 技术,不过消费级市场上使用 HBM 2 技术还是 AMD 去年的 RX Vega 显卡,但是因为 HBM 2 显存的成本太过昂贵,RX Vega 上实际上使用了两组 4GB HBM 2,等效位宽比第一代减少一半,尽管频率大幅提升,所以实际带宽反而低了一些。
 
 
见识过 HBM 的玩家对该技术肯定印象深刻,那么未来它又该如何发展呢?HPE(惠普企业级)公司的 Nicolas Dube 日前分享了他的一些观点,在他看来 DDR 内存要走到尽头了(DDR is Over),特别是一些需求高带宽的场合中。
 
 
根据他分享的一些数据,HBM 2 内存将在 2018 年大量应用,HBM 3 将在 2020 年左右应用,改进版的 HBM 3+技术在 2022 年应用,2024 年则会有 HBM 4 内存,带宽及容量也会逐级增长,比如现在的 HBM 2 内存,核心容量可达 8Gb,通过 TSV 技术可以实现每个 CPU 支持 64GB HBM2 内存,每路插槽的带宽可达 2TB/s,而到了 HBM 4 时代,每个 CPU 支持的容量可达 512GB,带宽超过 8TB/s。作为对比的话,目前 AMD 的 EPYC 处理器支持 8 通道 DDR4 内存,虽然最高容量能达到 2TB,但是带宽不过 150GB/s 左右,与 HBM 内存相比就差远了。
 
按照他的观点,在一些需要高带宽的场合中,HBM 技术无疑远胜 DDR 内存,所以他说的 DDR 内存将死在这方面是成立的,比如 HPC 高性能计算机行业就非常需要 HBM。不过话说回来,DDR 将死这个判断并不适合桌面市场,HBM 技术虽然各种好,但是现在来看成本问题一时半会都没法解决,目前能生产 HBM 内存的厂商只有三星、SK Hynix,美光因为有 HMC 技术,对 HBM 并不怎么热心,所以 HBM 降低成本的过程将是漫长的,对桌面级玩家来说 DDR4 很长一段时间内都不会过时,2020 年左右会开始推 DDR5 内存,所以三五年内我们是看不到 DDR 内存被 HBM 干掉的可能的。