5G 高频率特性让氮化镓(GaN)半导体制程成为功率放大器(PA)市场主流技术,同时,GaN 功率元件也开始被大量应用在车联网及电动车领域。看好 GaN 市场强劲成长爆发力,世界先进(5347)经过 3 年研发布局,今年硅基氮化镓(GaN-on-Si)制程将进入量产,成为全球第一家提供 8 吋 GaN 晶圆代工的业者,大啖 5G 及车电市场大饼。


台积电及世界先进近年来积极投入 GaN 制程研发,今年可望开花结果,合力抢进快速成长的 GaN 晶圆代工市场。台积电与德商戴乐格(Dialog)等客户合作,已开始提供 6 吋 GaN 晶圆代工服务;世界先进与设备材料厂 Kyma、转投资 GaN 硅基板厂 QROMIS 携手合作,去年底已成功试产 8 吋 GaN 晶圆,今年将成为全球首家提供 8 吋 GaN 晶圆代工服务的业者。


相较于硅制程及砷化镓(GaAs)等成熟半导体技术,GaN 是相对较新的制程。随着 5G 技术即将全面商用,基地台升级商机庞大,由于 5G 技术上采用更高操作频率,业界对于 GaN 元件将逐步取代横向扩散金氧半导体(LDMOS)并成为市场主流技术已有高度共识。另外,在手机 PA 元件部份,3G 及 4G 主要采用 GaAs 制程,5G 因为高频的关系,让 GaN 制程的 PA 元件很有机会成为市场新主流。


市调机构拓墣指出,GaN 因具备耐高温与适合在高频操作下的优势,不仅可使晶片面积可大幅减少,并能简化周边电路的设计。同时,低导通电阻及低切换损失的特性,也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失,对于电动车续航力的提升有相当的帮助。


在射频及 PA 元件、与车用电子等相关晶片市场中,包括恩智浦、英飞凌、德仪等 IDM 厂位居主导地位,但在 GaN 技术上,IDM 厂反而开始透过晶圆代工厂取得产能。也因此,世界先进顺利抢进 8 吋 GaN 晶圆代工市场,可望争取到更多 5G 及车电等相关晶圆代工订单。


世界先进去年合并营收年减 3.6%达 249.10 亿元,归属母公司税后净利年 18.7%达 45.05 亿元,每股净利 2.75 元,符合市场预期。世界先进董事会决议今年每普通股拟配发 3 元现金股利。由于 8 吋晶圆代工产能吃紧,加上硅晶圆价格看涨,世界先进与客户协商后已小幅调涨第一季晶圆代工价格,由于产能全年供不应求,价格应可逐季调涨,有助于营收及获利表现。