增强的近红外性能提升高端安防及监控相机的图像质量
 
2018 年 4 月 10 日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON) 推出首批采用近红外+(NIR +)技术的 CMOS 图像传感器,该技术有效地将高动态范围(HDR)与增强的微光性能相结合,以使能高端安防与监控相机。
 
AR0522 是一款 1/2.5 英寸 510 万像素(MP)图像传感器,基于一个 2.2 微米(um)背照式(BSI)像素技术平台,专为在微光条件下需要高分辨率、高质量视频捕获的工业应用而开发。AR0522 图像传感器提供的近红外波长的灵敏度大概是现有的 AR0521 图像传感器的两倍。
 
AR0431 是一款 1/3.2 英寸 400 万像素传感器,基于一个 2.0 um 背照式像素技术平台。它能够提供通用的低能耗模式和一个高达 120fps 的帧速率,非常适合需要慢速运动视频捕获的应用。它的低运作能耗使其成为电池供电的安防相机、动作 / 运动相机、车载 DVR 和一般监控相机的理想选择。
 
安森美半导体开发 NIR +技术,以提高近红外区域内传感器的量子效率(QE),而无需牺牲可见光谱中的色彩保真度。通过这一技术,安防相机可在更低的电压下,在物料单(BOM)上使用更少的红外(IR) LED,且仍能在微光和近红外条件下实现高质量图像。
 
安森美半导体图像传感器消费方案分部副总裁兼总经理 Gianluca Colli 表示:“AR0522 和 AR0431 所采用的 NIR +技术和背照式像素平台真正实现了卓越的图像质量和微光性能,即使在极具挑战的光照条件下也能获得更明亮、更清晰的图像。”
 
供货
 
安森美半导体现提供 AR0522 工程样品,采用 12mm x 12mm mPLCC 封装,计划于 2018 年 5 月量产。
 
AR0431 的工程样品将于 2018 年 4 月推出,采用 10mm x 10mm mPLCC 封装,计划于 2018 年 7 月量产。