我国虽然在半导体芯片行业中落后世界先进水平太多,但也在一步一个脚印地前进,不断取得新突破。

 
据媒体报道, 4 月 11 日,由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目,芯片生产机台正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。
 
紫光在武汉、南京、成都三地都有 300mm 闪存晶圆厂, 这次率先启动的是武汉工厂,同时募集的 800 亿元资金也已经全部到位。
 
 
紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全更是披露了一个振奋人心的好消息: 长江存储的 3D NAND 闪存已经获得第一笔订单,总计 10776 颗芯片,将用于 8GB USD 存储卡产品。
 
紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国在发言中强调,国家存储器基地项目是中国集成电路闪存芯片产业规模化发展“零”的突破,相当于中国科技领域的航空母舰。
 
 
在此之前,基地生产厂房已于 2017 年 9 月提前一个月封顶,32 层堆叠立体 NAND 闪存芯片自主研发也取得重大突破,如今又提前 20 天完成芯片生产机台搬入,就像是航母舾装完毕、开始装配武器弹药了。
 
今年底,基地就将实现国产 3D 闪存的小规模量产,用不了多久就能看到基于国产闪存的智能手机、SSD 固态硬盘。
 
明年,长江存储还将开始 64 层堆叠闪存,单颗容量 128Gb(16GB)。