研究机构 Linley Group 发布芯片产业报告指出,英特尔(Intel)开发新制程落后,原有的芯片制造技术优势也几乎荡然无存。


首席分析师 Linley Gwennap 写说,英特尔的 10 纳米制程一再延误,导致冲刺下一代制程进度现不仅落后给台积电,三星与其伙伴 GlobalFoundries 也准备超车。


据悉,台积电计划于今年 6 月份开始量产 7nm FinFET 芯片,届时台积电将实现 7nm 芯片 100%的市场份额,而高通、海思和 Xillinx 都是台积电的大客户,7nm 这项工艺的收益将在第二季度开始体现。


三星已经完成了 7nm 制程技术的开发,并且在这一制程技术中使用了极紫外线曝光设备(EUV)。最初,该公司预计 7 纳米制程技术的开发将在 2018 年下半年完成,但是,未来追赶台积电的脚步,现在已经提前半年完成。有消息指出,高通正准备向三星发送其新移动芯片样品。


报告分析各大厂生产的芯片电路密度,以及其它工艺技术指标,结论是其它竞争者所采用的技术水平均已逼近英特尔,比如台积电的 7 纳米与英特尔 10 纳米几乎没有差距。报告指出,三大竞争厂商在采购下一代微影技术(lithography)设备均比英特尔积极,不排除三者 2021 年都将超越英特尔。


英特尔护城河被对手一一攻破,未来营收展望堪忧。日前有消息传出,苹果最快 2020 年于部分 Mac 电脑以自家研发的处理器取代英特尔处理器,恐冲击英特尔营收。