其领先的 SiC 二极管和 MOSFET 器件以提供高稳健性和高性能  
 
将于 6 月 5 日至 7 日在 PCIM 欧洲电力电子展的 6 号展厅 318 展台
 
展示适用于快速电动车充电和工业应用的解决方案
 
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 宣布提供采用碳化硅(SiC) 二极管和 MOSFET 器件的全新可扩展 30 kW 三相 Vienna 功率因数校正(PFC)拓扑参考设计。这款可扩展的用户友好解决方案由美高森美与北卡罗莱纳州立大学(NCSU)合作开发,非常适合快速电动车(EV)充电和其它大功率汽车和工业应用;此外,它亦可通过美高森美功能强大的 SiC MOSFET 和二极管,为客户提供更高效的开关以及高雪崩 / 高重复性非钳位感性开关(UIS)能力和高短路耐受额定值。美高森美将参展 6 月 5 日至 7 日在德国纽伦堡展览中心举行的 PCIM 欧洲电力电子展,在 6 号展厅 318 展台展示有源整流器 PFC 参考设计以及 SiC 产品系列中的其它解决方案。
 
美高森美副总裁兼分立和电源管理部门经理 Leon Gross 表示:“汽车市场不断变化,混合动力车(HEV)和电动车日益增加,SiC 器件可以使得这些车辆提高效率,行走更远路程。这继续推动了市场对我们产品组合中的这些 SiC 器件以及其它高可靠性产品的高需求。在过去几年来成功发布 SiC MOSFET 和二极管产品组合后,我们新推出的三相三开关三电平 PFC 参考设计是一个具体示例,说明如何在要求严苛的应用中利用这些部件,展示其稳健性、高性能和整体价值。”
 
美高森美的用户友好 30 kW 三相 PFC 参考设计包括用于其下一代 SiC 二极管和 MOSFET 的设计文件、开源数字控制软件和用户指南。与单相 PFC 和两电平六开关升压脉宽调制(PWM)整流器设计相比,该拓扑结构具有多项优势,包括在连续导通模式下工作的失真极低,并可降低约 98%的电源器件开关损耗;与 Si/IGBT 解决方案相比,它还具有高效率和紧凑外形尺寸的优势。
 
该参考设计还提供详细的 3D 机械和散热设计,并带有集成的风扇和冷却通道以降低热阻和缩小总系统尺寸。其印刷电路板(PCB)布局在开发时已考虑了安全性、电流应力、机械应力和抗噪声能力。参考设计包带有可立即使用的硬件和经过验证的开源软件,可降低大功率开关设计的技术风险,同时加快产品上市。
 
除了适合快速 EV/HEV 充电器和适用于汽车和工业市场大功率三相电源外,美高森美全新有源三相 PFC 参考设计还可以用于医疗、航天、国防和数据中心市场。这款参考设计补充了面向 HEV/EV 充电、插电 / 感应式车载充电器(OBC)、DC-DC 转换器和电动车动力系统 / 牵引控制、光伏(PV)逆变器和作动器应用美高森美整体 SiC 解决方案组合。
 
包括 IndustryARC 和 Technavio 在内的市场研究机构预计,电动车电力电子市场到 2021 年的年复合增长率(CAGR)将达到 19%至 33%。包括 SiC 器件在内的宽带隙半导体器件具有高工作温度能力和高效率,因此在 EV 动力传送、DC-DC 转换器、充电和开关电源应用中的使用将会与日俱增。
 
6 月 5 日至 7 日在 PCIM 展会 6 号展厅 318 展台进行演示
 
美高森美产品专家将在 PCIM 展会期间于公司展台上演示全新 Vienna PFC 参考设计和美高森美 SiC 解决方案。如要了解更多的信息或要求安排展会会面,请访问公司网页
https://www.microsemi.com/details/346-pcim-europe。
 
产品供货
 
美高森美现在提供 PFC 参考设计,如要了解更多信息,请访问公司网页
https://www.microsemi.com/product-directory/discretes/3613-silicon-carbide-sic 或联络 sales.support@microsemi.com。