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芯片制造的技术水平和发展规模现已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一。我国的集成电路产业经过多年发展，已经形成设计、制造、封测三业并举的产业架构，并初具规模。但整体与国外领先水平相比，制造业仍有较大差距，先进工艺约落后两代，生产规模不足国外领先企业的 10%，关键产品如存储器、CPU 等尚未具备大规模生产能力，特色制造工艺的积累也不足。
虽有不足，但是在 5G、智能终端和物联网等新兴应用带来多重市场空间，在很多企业看来，这些划时代的技术和应用在给全球带来产业革命的同时，也会给他们带来新的成长机遇，尤其是作为基础支撑的半导体产业，在政策大力支持下，将面临巨大的发展机遇。
半导体浪潮中的华虹宏力
华虹宏力便是此次机遇浪潮中的受益者，对华虹宏力来说，新兴市场与热点应用里蕴含着他们的无限机遇。华虹宏力目前作为国内最大，全球第二大的 8 英寸晶圆代工厂，自建设中国大陆第一条 8 英寸集成电路生产线起步，目前在上海金桥和张江共有三条 8 英寸生产线（华虹一、二、三厂），截至 2018 年 7 月合计月产能超 17 万片，在中国台湾、日本、北美和欧洲等地均提供销售与技术支持。华虹宏力作为全球领先的 200mm 纯晶圆代工厂，主要专注于研发及制造特种应用的 200mm 晶圆半导体，工艺技术覆盖 1 微米至 90 纳米各节点, 其嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等差异化工艺平台在全球业界极具竞争力。
嵌入式存储器技术：华虹宏力在嵌入式闪存市场上居技术领先地位，可以提供从 0.5 微米到 90 纳米等工艺制程，涵盖 eFlash、eEEPROM、MTP、OTP 等，应用包括智能卡芯片和高中低端 MCU 等。
功率器件：华虹宏力是业内首个拥有深沟槽超级结(Deep Trench Super Junction，DT-SJ)及场截止型 IGBT(Field Stop，FS IGBT)工艺平台的 8 英寸代工厂。公司现已推出第三代 DT-SJ 工艺平台，技术参数达业界一流水平。作为国内唯一拥有 IGBT 全套背面加工工艺的晶圆代工厂，与多家合作单位陆续推出了 650V、1200V、1700V 等 IGBT 器件工艺，成功解决了 IGBT 的关键工艺问题。
射频技术：随着移动互联网和无线通讯技术（4G/5G）的蓬勃发展，射频芯片在智能终端和消费类电子产品中的应用也愈发广泛。射频 SOI 技术非常适合用于智能手机以及智能家居、可穿戴设备等智能硬件所需的射频前端芯片。为此，华虹宏力推出了 0.2 微米射频 SOI 工艺设计套件（PDK），有助于客户提高设计流程的效率及输出优质的射频组件，从而减少设计改版及缩短产品推出市场的时间；0.13 微米射频 SOI 的研发正在稳步推进中，有望今年面市，以应对智能手机出货量的持续增长及未来 5G 蜂窝通信的发展及应用。同时，公司还提供一系列高性能且具备成本效益的射频解决方案，包括射频 CMOS、高阻硅 IPD（集成无源器件）以及配备射频 PDK 的嵌入式闪存工艺平台。
电源管理：随着人们对绿色、节能需求的日益提升，高能效的 PMIC 技术越来越受重视。华虹宏力作为完整的电源管理 IC 代工技术供应商，可提供久经验证的 CMOS 模拟和更高集成度的 BCD/CDMOS 工艺平台。其技术涵盖 1.0 微米到 0.13 微米，电压范围覆盖 1.8V 到 700V，性能卓越、质量可靠，可广泛应用于 PMIC、快速充电（Fast Charge）、手机 / 平板电脑 PMU 以及智能电表等产品领域。
在以上这些先进的差异化制造技术之外，华虹宏力还拥有多年成功量产汽车电子芯片的经验，生产的芯片广泛应用于电子消费品、通讯、计算机及工业及汽车领域。
2017 年八月初，华虹宏力与无锡市政府及国家集成电路产业投资基金（简称大基金）签订了一份投资协议，三方将在无锡投资建设一座 12 英寸晶圆厂，项目总投资新的代工厂产能规划为每月 4 万片，主要为 65-90 纳米产品做代工，这也将是华虹宏力的产品线的重要补充。
据华虹方面介绍，12 寸厂的建设，不但可以获得所需的产能，又能将工艺技术提升到 65nm。他们在 90nm 的的量产，会为之后在 12 寸晶圆上 65nm 的引入奠定基础。嵌入式非易失性存储、射频、电源管理芯片及相关 IP，将会是首批转移到 12 寸晶圆上的产品线。
这次也是华虹 2 厂自 2007 年量产以来，华虹新建的第一个工厂，这将会是他们卡位未来的一个重要棋子。华虹无锡集成电路研发和制造基地项目得到国家大基金的强力金援，大基金向华虹半导体注资 9.22 亿美元，其中 4 亿美元投给华虹半导体，持股 18.94%；5.22 亿美元投给华虹无锡，持股 29%。华虹无锡项目占地约 700 亩，总投资 100 亿美元，一期投资 25 亿美元，新建一条 12 英寸“超越摩尔”特色工艺集成电路生产线，采用先进工艺 90～65/55 纳米、月产能约 4 万片，支持 5G、汽车电子和物联网等新兴领域的应用。计划将于今年下半年完成净化厂房建设和动力机电设备安装、通线并逐步实现达产，预计年产值将达 50 亿元。
华虹宏力能否成为市场大潮中的弄潮儿？
如今，回头看华虹宏力这一路走来，在很大程度上推动了我国先进半导体产业环境和上下游产业链生态系统的建立，同时也实现了很多从无到有的突破，包括第一颗手机 SIM 卡芯片、第一颗二代身份证芯片等，打破了海外厂商的垄断，实现了国产化替代，产生了巨大的经济社会效益。
华虹宏力在“中国芯”工程中的作用明显。在华虹半导体（华虹宏力母公司）发布的截至 2018 年 6 月 30 日的财报中，我们看到，公司来自国内的营收占比进一步提升，高达 58.6%，特别是公司拥有先进的功率器件和电源管理芯片生产线，对于国内功率器件和电源管理 IC 设计公司自主研发的芯片实现量产销售，起到了非常重要的作用，有效地提升了 IC 设计公司的产品市场竞争力。
随着未来物联网、5G、人工智能的发展，华虹宏力对此做了相应的布局和规划。
MCU 领域，是华虹宏力的战略重点，其包括嵌入式 Flash/EEPROM/OTP/MTP 等在内的全球领先的嵌入式非易失性存储器技术，覆盖了高、中、低端 MCU 芯片，为 MCU 设计公司提供了多种方案和选择。尤其是 0.11 微米超低漏电（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）工艺平台，专为物联网打造，为华虹宏力和客户带来了明显的创新增长。
面向 5G 射频前端，华虹宏力也会持续研发 0.13 微米的 RF SOI 工艺，这种绝缘体上硅（SOI）技术的 RF 版本工艺，拥有隔离衬底的高电阻特性，还有设计周期短、简单易用、低功耗的特点，华虹宏力将积极推进其在 5G 射频中的应用。同时华虹宏力还在密切关注宽禁带半导体工艺，其拥有高效、高频、高功率、高稳定性、高线性度等优势，在市场终端有需求的时候，华虹宏力将及时作出反应。
针对新能源领域，华虹宏力将持续扩展其在 IGBT、MOSFET 等功率器件方面的领先优势。应用上，1200V 主要用于工业领域及太阳能发电，而 1700V 和 3300V 则主要对应风能，华虹宏力可根据客户要求定制各种功率器件，满足了市场多样化需求。在配套的充电桩领域，华虹宏力也有超级结 MOSFET 等产品。可见，功率器件同样是华虹宏力助力中国半导体产业发展、挖掘未来半导体机会的着力点。
在华虹宏力看来，未来云计算、物联网、大数据、智慧城市和 5G 的快速应用，将会推动 12 英寸晶圆的需求，再加上中国政府对集成电路发展的支持以及华虹宏力获得国家的背书，形成了资本、技术、产业的叠加优势，意味着在未来产品推进和合作商方面会获得更多的机会，依赖于固有优势的华虹宏力在这波大潮中抓住先机，力图成为市场的弄潮儿。
参考文献：
芯思想，《【中国半导体脊梁】华虹宏力：开辟“超越摩尔”新路，深耕“特色+优势”工艺，铸就铁军芯向蓝海》
半导体行业观察，《新时代下的半导体机遇，华虹宏力蓄势待发》
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