起于存储,立于晶圆代工,力晶的戏剧化之路

2018-11-15 17:29:05 来源:EEFOCUS
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力晶以存储制造起家。

 

在存储大好的年代,力晶跟银行借了很多钱,风光盖厂,为了维持技术的领先,花大钱买机台,跟着投入先进制程的研发,可惜无法维持太久。

 

 

 

2008年一场金融海啸,一度让多家记忆体厂陷入危机,力晶也是其中之一。当时,力晶曾向银行申请纾困466亿元,总负债一度高达755亿元,负债比率达到八成。

 

2012年12月,力晶在股市上的净值转为负数,负债高达1,100亿元,被迫下柜。当日,力晶的收盘价只剩下0.29元,可以说是股东们最痛苦的一天。

 

下柜后的力晶全力转型,毅然决然从老本行DRAM转型为晶圆代工厂,力晶自2013年营运转亏为盈以来,到2017年的这5年当中,顺利缴出亮眼的成绩单。这几年来,力晶每年获利都超过百亿元,迅速还清千亿元的债务,去年每股净值也重返新台币10元大关,甚至有能力开始对股东配发股利,迎向重生之路。

 

回顾力晶“前生”

力晶是记忆体业大起大落最戏剧性的案例之一。今天,与非网小编来梳理一下力晶这一段戏剧性之路。

 

力晶于1994年十二月创立于新竹科学园区,早期专注于动态随机存取存储之生产,逐步扩及及晶圆代工及Flash生产,并以大陆终端客户为主要营收来源。

 

 

公司在生产动态随机存取存储制程技术以三菱电机既有的技术为基础,与日本的DRAM大厂Elpida缔结策略联盟,共同研发尖端DRAM技术。公司也和Renesas等国际大厂合作,开发生产高容量快闪存储(Data Flash),以期成为国内最大之全方位存储公司。

 

在逻辑代工制程技术方面,自日本三菱公司引进0.25微米/0.18微米/0.15微米逻辑代工制程技术,并建立相关制程的设计资料库及IP,以及开发Mixed-mode 、CIS等产品,以协助客户顺利量产新世代产品。

 

代工业务主要为转投资的8寸厂巨晶电子。公司成立初始即锁定日本三菱为策略合作伙伴,不断引进日方技术提升制程能力,已成为国内最大动态随机存取存储厂商。

 

 

力晶2008年第二季将产能全数转换为70nm制程,65nm制程于第三季进入量产。


2009年主流制程为65 纳米制程,虽持续进行制程微缩,但在2010年,仍无法负担制程转换的成本,因此生产成本与竞争对手差距仍大。


2010年4月,力晶宣布减资38%,以弥补累积亏损。2010年H2全部转进63纳米,每片产出增加25%;2010年Q4导入45纳米,2011年H1量产出货,资金投入约120-150亿元。

 

因尔必达与瑞晶45纳米制程顺利,提前采购45纳米机台,而调升2010年资本支出,资本支出从原先的127亿元提升至174.88亿元,增幅达37%,其中45纳米设备占100亿元以上,2011年到位的浸润式机台也从2台提升到4-5台。

 

2011年1月,2Gb DDR3 DRAM 40纳米制程投片量产,预计年中全数转进40纳米,于下半年100%转进,并计划于第四季投入30纳米技术。公司自力研发的40纳米快闪存储也开始出货,以手机用低电压NAND Flash领域为主。公司接获任天堂的3DS利基型存储代工订单。

 

同年4月,力晶与Elpida达成的DRAM产销新协议,使公司的专利授权、技转费用降低,并无偿取得Mobile DRAM技术及销售权,结合自行开发的NAND快闪存储技术,将针对高速成长的行动应用(Mobile Applications)新市场,提供完整的存储产品组合。

 

力晶积极转型为晶圆代工厂,以及加重行动型存储、快闪存储及代工业务营收,降低标准DRAM。截至2011年,产品比重方面,晶圆代工占60%、DRAM占30%、Nand Flash占10%。晶圆代工领域包括LCD驱动IC、CMOS Sensor、类比IC、电源管理IC。


自2012年起,NAND Flash的投片量将正式超越DRAM,且DRAM投片产能将永远性的降低至20%以下。

 

DRAM制程方面,2012年将全部由40纳米转换至30纳米,且均生产4G产品。


产能配置方面,至2012年1月晶圆代工每月投片量拉升至6万片,标准型DRAM投片约2万片,Nand Flash约6000千片。


2012年遭逢DRAM价格崩跌冲击,力晶也在2012年12月11日下柜,当日股价只剩0.29元,净值变成负数投资人手上持股化为“壁纸”,遥想2000年一度高达八十元的股价,力晶投资人此次几乎是干洗出场。

 
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作者简介
李晨光
李晨光

与非网编辑,网名:L晨光,电子工程专业出身。凭借对文字的热爱和热情投身于此,热衷观察和思考,期待有所发现,有所收获。夜半时分,写出一段让自己感动的文字,最让我兴奋。

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