起于存储,立于晶圆代工,力晶的戏剧化之路

2018-11-15 17:29:05 来源:EEFOCUS
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力晶以存储制造起家。

 

在存储大好的年代,力晶跟银行借了很多钱,风光盖厂,为了维持技术的领先,花大钱买机台,跟着投入先进制程的研发,可惜无法维持太久。

 

 

 

2008年一场金融海啸,一度让多家记忆体厂陷入危机,力晶也是其中之一。当时,力晶曾向银行申请纾困466亿元,总负债一度高达755亿元,负债比率达到八成。

 

2012年12月,力晶在股市上的净值转为负数,负债高达1,100亿元,被迫下柜。当日,力晶的收盘价只剩下0.29元,可以说是股东们最痛苦的一天。

 

下柜后的力晶全力转型,毅然决然从老本行DRAM转型为晶圆代工厂,力晶自2013年营运转亏为盈以来,到2017年的这5年当中,顺利缴出亮眼的成绩单。这几年来,力晶每年获利都超过百亿元,迅速还清千亿元的债务,去年每股净值也重返新台币10元大关,甚至有能力开始对股东配发股利,迎向重生之路。

 

回顾力晶“前生”

力晶是记忆体业大起大落最戏剧性的案例之一。今天,与非网小编来梳理一下力晶这一段戏剧性之路。

 

力晶于1994年十二月创立于新竹科学园区,早期专注于动态随机存取存储之生产,逐步扩及及晶圆代工及Flash生产,并以大陆终端客户为主要营收来源。

 

 

公司在生产动态随机存取存储制程技术以三菱电机既有的技术为基础,与日本的DRAM大厂Elpida缔结策略联盟,共同研发尖端DRAM技术。公司也和Renesas等国际大厂合作,开发生产高容量快闪存储(Data Flash),以期成为国内最大之全方位存储公司。

 

在逻辑代工制程技术方面,自日本三菱公司引进0.25微米/0.18微米/0.15微米逻辑代工制程技术,并建立相关制程的设计资料库及IP,以及开发Mixed-mode 、CIS等产品,以协助客户顺利量产新世代产品。

 

代工业务主要为转投资的8寸厂巨晶电子。公司成立初始即锁定日本三菱为策略合作伙伴,不断引进日方技术提升制程能力,已成为国内最大动态随机存取存储厂商。

 

 

力晶2008年第二季将产能全数转换为70nm制程,65nm制程于第三季进入量产。


2009年主流制程为65 纳米制程,虽持续进行制程微缩,但在2010年,仍无法负担制程转换的成本,因此生产成本与竞争对手差距仍大。


2010年4月,力晶宣布减资38%,以弥补累积亏损。2010年H2全部转进63纳米,每片产出增加25%;2010年Q4导入45纳米,2011年H1量产出货,资金投入约120-150亿元。

 

因尔必达与瑞晶45纳米制程顺利,提前采购45纳米机台,而调升2010年资本支出,资本支出从原先的127亿元提升至174.88亿元,增幅达37%,其中45纳米设备占100亿元以上,2011年到位的浸润式机台也从2台提升到4-5台。

 

2011年1月,2Gb DDR3 DRAM 40纳米制程投片量产,预计年中全数转进40纳米,于下半年100%转进,并计划于第四季投入30纳米技术。公司自力研发的40纳米快闪存储也开始出货,以手机用低电压NAND Flash领域为主。公司接获任天堂的3DS利基型存储代工订单。

 

同年4月,力晶与Elpida达成的DRAM产销新协议,使公司的专利授权、技转费用降低,并无偿取得Mobile DRAM技术及销售权,结合自行开发的NAND快闪存储技术,将针对高速成长的行动应用(Mobile Applications)新市场,提供完整的存储产品组合。

 

力晶积极转型为晶圆代工厂,以及加重行动型存储、快闪存储及代工业务营收,降低标准DRAM。截至2011年,产品比重方面,晶圆代工占60%、DRAM占30%、Nand Flash占10%。晶圆代工领域包括LCD驱动IC、CMOS Sensor、类比IC、电源管理IC。


自2012年起,NAND Flash的投片量将正式超越DRAM,且DRAM投片产能将永远性的降低至20%以下。

 

DRAM制程方面,2012年将全部由40纳米转换至30纳米,且均生产4G产品。


产能配置方面,至2012年1月晶圆代工每月投片量拉升至6万片,标准型DRAM投片约2万片,Nand Flash约6000千片。


2012年遭逢DRAM价格崩跌冲击,力晶也在2012年12月11日下柜,当日股价只剩0.29元,净值变成负数投资人手上持股化为“壁纸”,遥想2000年一度高达八十元的股价,力晶投资人此次几乎是干洗出场。

 

为替力晶留存一条生路,力晶集团执行长黄崇仁除与债权银行协商展延偿债,也毅然将公司转型为代工驱动IC、电源管理IC与利基型记忆体等产品。

 

2013年4月,力晶P3厂月产能约2万片12寸厂设备及生产线由金士顿标下,并由力晶代工。

 

2014年6月,转投资LCD驱动IC厂瑞力被Synaptics并购,力晶出售所有持股后,预期获利约36亿元,且与Synaptics达成协议维持合作关系,Synaptics在整合LCD驱动IC及触控IC的单芯片,将交由力晶生产。


2015年,力晶申请通过与安徽合肥市政府合资成立合肥晶合集成电路公司(简称晶合集成),以总投资额约人民币135.3亿元兴建12寸晶圆厂,计划切入LCD驱动IC生产代工。一期厂房正式动土不到两年就完工进行试产,今年第二季进入量产,月产能规模约为1万片,并按计划逐步增加,目标2019年达每月4万片产能规模。


 
力晶方面表示,在先进国家建厂一般需耗时两年半到三年,晶合从动土兴建到完工生产只花了一年半,实属不易,也是力晶与合肥市政府双方努力合作的成果。而晶合厂一旦投片完成也不会有所耽搁,因为马上就有力晶台湾厂转移来的面板驱动IC 订单可做。


 
藉由转型,力晶从2013年起连续几年获利百亿元,已偿还上千亿元债务,摆脱纾困窘境,到2015年底每股净值提高到10.12元,回到十元以上的票面值。这主要是因为当时他看到中国半导体崛起的商机,瞄准合肥为中国面板大厂京东方生产制造重镇,有助取得LCD驱动IC订单。

 

展望力晶“来世”

过去虽然有很多DRAM大厂倒闭,但也因这些厂退出,每个月少了10几万片的产能,近五年多来,未见有新DRAM厂投资,即使最近三星宣布新的资本支出,也未提及在DRAM的扩充。力晶目前也是少数能为客户提供设计能力的专业记忆体代工厂。


 
对于力晶的未来,黄崇仁强调,DRAM先进制程目前遭遇摩尔定律的极限,且新厂投资极为昂贵,但需求端已全靠个人电脑支撑,市场快速分散至智慧型手机、伺服器、网通和各项消费型电子。近期全球兴起全面布建5G,以及AI人工智慧和扩增实境(AR)和虚拟实境(VR)和物联网的应用,让DRAM和NAND Flash应用更多元化,都将推升DRAM产业进入另一新的里程碑。

 

 

黄崇仁强调,虽然中国大陆想积极切入DRAM制程,但只要三大厂包括三星、SK海力士和美光不移转技术,中国大陆自行开发成功,路途难困。这也给台湾DRAM厂包括力晶等很大的机会。力晶在还清积欠银行团贷款后,已积极规划重新上市。目前准备先买回原本被银行拍卖给金士顿的力晶P3厂2万片生产DRAM设备,交易金额暂不便透露。

 

在合肥建厂后,力晶又宣布扩大在台投资,要砸2780亿元在竹科铜锣基地兴建2座12寸晶圆厂,2020年动工,预计第一期2022年投产1.5万片,四期完成预计是2030年,届时铜锣厂总产能将达10万片,至此力晶也跃居台湾晶圆代工厂第三雄。

 

力晶集团旗下两岸晶圆厂分工蓝图浮现,规划斥资近3,000亿元兴建的12英寸新厂,将集中生产高压制程金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)、图像传感器(CIS)和基因定序检测芯片;现有竹科的产能则集中火力发展AI、物联网和网通所需利基型内存;LCD驱动IC则逐步转往大陆合肥。

 

在力晶分工蓝图浮现的背后,戏剧性的故事看似走上了正轨,但面临晶圆代工行业巨头割据的现状,力晶的未来又被蒙上了一层雾纱,历史的车轮滚滚向前,见证着力晶的辉煌、衰败、转型、成长以及未来的明朗和扑朔迷离...

 

 

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作者简介
李晨光
李晨光

与非网编辑,网名:L晨光,电子工程专业出身。凭借对文字的热爱和热情投身于此,热衷观察和思考,期待有所发现,有所收获。夜半时分,写出一段让自己感动的文字,最让我兴奋。

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