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中国反垄断机构对于三星、海力士、美光三家企业的调查案，在近期已获得重要进展，市场监管总局从三家公司调查获取了大量证据资料，证明这三家内存厂商联合在一起，对市场进行垄断实现对价格的完全管控。本次调查，三家公司恶意操纵市场，谋取暴利是一方面，更重要的是，中国在存储芯片技术上取得了一定程度的突破。回想起之前的福建晋华事件，曾有言论指出中国存储芯片市场将会受到严重打击，那么现在究竟是一种怎样的格局呢？
存储芯片的定义
存储芯片是半导体元器件中不可或缺的组成部分，几乎存在于所有的电子设备中。随着大数据、云计算、物联网、人工智能等产业的发展，其在整个产业链中扮演的角色越来越重要。
存储芯片的种类很多，按用途可分为主存储芯片和辅助存储芯片。前者又称内存储芯片(内存)，可以与 CPU 直接交换数据，速度快、容量小、价格高。后者为外存储芯片(外存)，指除内存及缓存以外的储存芯片。此类储存芯片一般断电后仍然能保存数据，速度慢、容量大、价格低。按照断电后数据是否丢失，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片常见的有 DRAM 和 SRAM。非易失性存储芯片常见的是 NAND 闪存芯片和 NOR 闪存芯片。
图 1 存储芯片分类
当前在 DRAM 存储芯片领域，三星、海力士、美光这三大巨头共计分食了全球 90％以上的市场份额，其中美光占据份额达 23％。
而众所周知的，中国是全球最大的 DRAM 芯片进口国。因相关核心技术被垄断，我国在此方面的发展速度极为有限。加之 DRAM 的刚性需求，仅去年一年，DRAM 芯片的价格年上涨了 40％之多。刚刚起步的福建晋华正是希望在 DRAM 芯片领域实现国产芯片的突围。晋华的禁售加速推动了反垄断调查的启动。
存储芯片市场世界格局
我国存储芯片产业发展较晚。选取 2000 年 1 月 1 日至 2018 年 10 月 31 日的全球存储专利分析发现，有效专利和专利申请最多的国家 / 地区依次是美国、韩国、日本、中国和中国台湾，如图 2。从这个数据看，我国(主要指大陆)专利并不弱。2002 年就已经有大量申请，2010 后申请大量增加。
但是，从申请主体可以发现，如图 3，我国的专利申请主要来自国际和中国台湾的企业，如三星电子、旺宏电子、台积电、SK 海力士、美光科技、英特尔、华邦科技、IBM 等。而申请前十的大陆企业只有中芯国际和兆易创新，且所申请专利多数是相对边缘化的技术，还有部分前沿技术。
图 2 存储芯片专利全球主要申请国家 / 地区及其申请趋势
图 3 在中国申请专利的主要企业及其申请趋势
从全球企业的专利申请趋势看，如图 4，目前以三星、SK 海力士、东芝和美光科技四家企业占据绝对优势。其中前三家是老牌专利巨头，美光科技在 2008 年后申请逐渐增加，赶超东芝和海力士，直追三星。2007 年后，旺宏电子、英飞凌、台积电和富士通的申请明显减少，可能来自金融危机的影响。这也印证了存储芯片产业向头部企业集中的趋势，特别是韩、美、日三国的四家企业。
图 4 全球存储芯片专利主要申请企业及其申请趋势
我国存储芯片发展现状
近年来，中国投入巨资发展存储芯片，产生了一批以长江存储、合肥长鑫以及福建晋华为代表的龙头企业。
长江存储就是原本的武汉新芯，紫光集团入股后更名为长江存储。自成立以来，长江存储除了获得来自于紫光的资金之外，还获得了集成电路产业基金超过 100 亿元人民币的投资。根据规划，长江存储的目标是到 2023 年满足中国 50%的 NAND 需求。
除了 32 层 3D NAND 于 2018 年底前投入量产之外，长江存储 Xtacking 架构的 64 层 NAND 样品已经送至合作伙伴进行测试，64 层 128G 的 NAND Flash 有望在 2019 年量产。此外，长江存储正在研发 128 层 256G 的 NAND Flash。
合肥长鑫的主攻方向就是和本次美光和联电发生纠纷的 DRAM，合肥长鑫的的规划是 2018 年年底推出 8Gb DDR4 工程样品，2019 年三季度推出 8Gb LPDDR4，到 2019 年年底，产能将达到 2 万片一个月。从 2020 年开始，公司则开始规划二厂，2021 年则完成 17nm 的研发。
福建晋华主攻 DRAM 内存产品，用于手机、电脑、服务器等。
本次中国敢于对三星、SK 海力士、美光这样的国际存储巨头亮剑，是中国本土企业在技术上取得突破的最好体现。
国际知名存储芯片厂商
三星电子
三星电子是韩国最大的电子工业企业，同时也是三星集团旗下最大的子公司。1938 年 3 月它于韩国大邱成立，创始人是李秉喆。业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。
海力士半导体
Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写“HY”。海力士即原现代内存，2001 年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大 DRAM 制造商，也在整个半导体公司中占第九位。
茂德科技
茂德科技，全球知名动态随机存取记忆体 DynamicRandomAccessMemory（DRAM）公司，於 1996 年 12 月成立，业务范围涵盖设计、研发、制造及行销领域。茂德科技在全球 DRAM 产业以先进制程技术与优异的生产效率著称，於中部科学园区设立十二吋晶圆厂生产营运基地。
力晶科技
力晶于八十三年十二月创立于新竹科学园区，业务范围涵盖动记忆体制造及晶圆代工两大类别。目前，力晶以先进的科技和产能，提供标准型记忆体（DRAM）、消费性记忆体（C-RAM）、通讯用记忆体（M-RAM）、高容量快闪记忆体（Flash）、CMOS 影像感测器及多元化代工服务。
东芝
东芝（Toshiba），是日本最大的半导体制造商，也是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团。公司创立于 1875 年 7 月，原名东京芝浦电气株式会社，1939 年由东京电气株式会社和芝浦制作所合并而成。
东芝业务领域包括数码产品、电子元器件、社会基础设备、家电等。20 世纪 80 年代以来，东芝从一个以家用电器、重型电机为主体的企业，转变为包括通讯、电子在内的综合电子电器企业。进入 90 年代，东芝在数字技术、移动通信技术和网络技术等领域取得了飞速发展，成功从家电行业的巨人转变为 IT 行业的先锋。
美光科技
美光科技有限公司（MicronTechnology，Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营，美光公司制造并向市场推出 DRAM、NAND 闪存、CMOS 图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块，用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。
美光科技有限公司（以下简称美光科技）是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括 DRAM、NAND 闪存和 CMOS 影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供针对性的解决方案。
西部数据
西部数据公司（WesternDigitalCorp）是一家全球知名的硬盘厂商，成立于 1970 年，目前总部位于美国加州，在世界各地设有分公司或办事处，为全球五大洲用户提供存储器产品。
国内主要存储芯片势力
长江存储
武汉新芯是长江存储的全资子公司。长江存储于 2016 年 7 月 26 日在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上正式成立，公司主要股东包括大基金和紫光集团、湖北省科投以及湖北国芯产业投资基金等，目前为清华紫光集团的子公司。作为一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试、销售服务于一体的半导体存储器企业，长江存储为全球客户提供先进的存储产品和解决方案，广泛应用在移动通信，计算机，数据中心和消费电子等领域。
福建晋华
由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的先进集成电路生产企业。公司与中国台湾联华电子开展技术合作，投资 56.5 亿美元，在福建省晋江市建设 12 吋内存晶圆厂生产线，开发先进存储器技术和制程工艺，并开展相关产品的制造和销售。
合肥长鑫
睿力集成电路有限公司成立于 2016 年，旨在顺应加快推进集成电路产业发展的国家战略，依托合肥市政府及产业资本的大力支持，引进一流人才和工艺技术，潜心研发自有知识产权，致力于成为中国第一的 12 寸专业存储器 IDM 企业。兆易创新与合肥长鑫合作开展 DRAM 存储业务，布局 DRAM(系统内存)行业，目前项目进展顺利，已进入试产阶段。
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