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Fabless+Foundry的背后谋着怎样的局?

2019/04/09
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最近有关国产半导体的现状讨论也好比这天气,其中中芯国际以 1.13 亿美元的价格其所持有的晶圆代工厂转让给了中科君芯,这背后谋的是怎么样一个局?今天我们就来聊聊半导体行业的那些事儿~
 
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低价转让的背后是 ...?
近期有消息曝出,中芯国际以 1.13 亿美元的价格将其所持有的晶圆代工厂(LFoundry)的 70%股份转让给江苏中科君芯。LFoundry 是一家较专业的晶圆代工厂,但是 1.13 亿美元是否也太“便宜”呢?一般认为,一条 8 英寸的产线需要 8 亿美元的投资,一条 12 英寸的产线则需要 12~15 亿美元的投资。如此低价转让的背后到底在谋划什么?
 
低价是有原因的,其实中芯国际和中科君芯应该算得上辛兄弟了,它们追根溯源,都可以归结于中科院,而中科院想必大家都不陌生。中科院:成立于 1949 年 11 月,是中国自然科学最高学术机构、科学技术最高咨询机构、自然科学和高技术综合研究发展重心,其地位可想而知。虽说亲兄弟明算账,但是老父亲的话是不是要听一听呢?那么,低价转让的背后,是否意味着国产半导体的一次革新发展正在悄然发芽呢?
 
中科君芯是一个单纯从事设计的企业,企业拥有强大的科研团队,以及具有自主知识产权的高科技企业。据资料显示,中科君芯开发了较为齐全的 IGBT 技术(平面穿透 PT 型、平面非穿透 NPT 型、沟槽栅场截止 FS 型的工艺技术;650V,1200V,1700V 电压等级系列产品,同时对于 3300 以上的 IGBT 芯片技术有一定的进展)。但是尽管是这样,其还是属于垂直分工模式下的 Fabless(无产线 IC 设计),但是有了 LFoundry 的加入,中科君芯是否可以理解为正在由 Fabless 向 IDM(集成器件制造)模式转化,有意在大手的操控下对国产 IGBT 技术进行一次革新呢?
 
(有关转让情况,大家可以参考下面转载的一篇"补强重要一环,国产 IGBT 再添强手")
 
不管如何,随着时间的发展,真相总会浮出水面,让我们拭目以待好了。下面我们来聊一聊 IDM 模式和垂直分工模式吧,部分内容是网上查的,正好上面正好提到,这里就写上,大家可以结合起来看。
 
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IDM 模式和垂直分工模式
目前,全球半导体产业有两种商业模式,一种是 IDM(Integrated Device Manufacture),集成器件制造模式;另一种是垂直分工模式。1987 年,在拥有"芯片大王"和中国台湾"半导体教父"之称的张忠谋离开 TI 创建中国台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC,台积电)之前,只有 IDM 一种模式,也就是说张忠谋拉开了垂直分工模式的序幕。出现垂直分工模式的根本原因是半导体制造业的规模经济性。但是目前占据主要地位的还是 IDM 厂商,因为 IDM 企业具有资源的内部整合优势、技术优势以及较高的利润率。
 
出现垂直分工模式的主要原因有以下两个:
 
①半导体制造业具有规模经济性特征,适合大规模生产。随着制造工艺的发展和晶圆尺寸的增大,单位面积所能容纳的 IC 数量增大,成品率显著提高,企业扩大生产规模会降低单位产品的成品,提高竞争力;
 
②半导体行业所需的各项投资十分巨大,成本较高,这就意味着只有少数有实力的 IDM 厂商有能力扩张,而其他的厂商略显无力。
 
正是这样的原因促使张忠谋离开 TI,在中国台湾创建了 TSMC,只做晶圆代工(Foundry),不涉及设计。同时,Foundry 的出现也降低了 IC 设计行业的门槛,众多中小型的 IC 设计企业纷纷成立,而这些中绝大数的都是无产线的,我们称之为 Fabless,这些促使着垂直模式的繁荣。
 
目前,还是 IDM 模式占主导地位,美国、日本和欧洲半导体行业主要采用这一模式,典型的有 Intel、三星、德州仪器(TI)、东芝意法半导体(ST)等,这些厂商有些经营范围涵盖了 IC 设计、IC 制造、封测等各个环节,甚至延伸至下游电子终端。
 
IDM 和垂直分工模式各有千秋,但是我觉得国内的产业基本属于垂直分工模式,大多的企业看重的还是眼前所能抓住的利益或者说是机遇,也许更多的是"无奈"。支撑起一个高科技高质量的国产半导体需要的东西太多太多,大量的资金,先进的科技革新,设备的突破创新等等。这些就导致了全球半导体依旧是国外品牌占据了整个江山。
 
不管怎样,期待中科君芯的这次整合能够在不久的将来带给我们惊喜。也许不久的将来,我们国产芯片能够后来居上,摆脱目前谈到国产器件,只有成本占优的局面。
就像这天气,临近酷暑,轰轰烈烈,穿过秋,越过冬,然后迎来真正属于国产半导体行业的春天!
 
希望你们能够喜欢,谢谢!

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公众号“功率半导体那些事儿”主笔,热衷于功率半导体行业,并且从事相关工作,喜欢关于相关行业的各种信息,知识和应用。珍惜时光,自由在高处。