近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯单晶晶圆研究取得新进展。

 

信息功能材料国家重点实验室研究员谢晓明领导的石墨烯研究团队首次在较低温度(750℃)条件下采用化学气相沉积外延成功制备 6 英寸无褶皱高质量石墨烯单晶晶圆。

 

上海微系统所研究团队采用蓝宝石作为衬底成功制备出具有更强催化能力的铜镍单晶薄膜,成功将外延生长石墨烯单晶的生长温度从 1000℃ 成功降低到 750℃,其制备的 6 英寸石墨烯单晶薄膜无褶皱,无颗粒污染,电学性能可以与高温条件下得到的石墨烯相媲美。

 

 

 

单晶石墨烯晶圆的批量化制备是石墨烯在电子学领域规模化应用的前提,低温外延制备晶圆级石墨烯单晶对于推动石墨烯在电子学领域的应用具有重要意义。