我国3D NAND/DRAM发展成绩喜人,长江存储、合肥长鑫均取得技术突破

2019-05-16 13:43:34 来源: 科钛网
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在GSA会议上,长江存储宣布将在今年8月正式推出Xtacking™ 2.0技术,合肥长鑫DRAM亦进展顺利,长江存储和合肥长鑫分别在3D NAND和DRAM上寻求突破, 不仅能快速应对全球数据量增长对存储器的挑战,更体现了中国在存储领域的迅猛发展。

 

近年来,中国大力发展集成电路产业,并以存储为重点布局项目,然而由于半导体景气低迷,以及芯片价格下滑,2019年存储产业链企业,尤其是中国存储企业将要面临的挑战更加严峻,提高产品在市场上的竞争力显得尤为重要。

 

长江存储Xtacking™技术旨在将为3D NAND带来更出色的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。长江存储通过Xtacking™这一架构,周边的控制电路可以随意选择任何的逻辑电路的先进工艺,这样周边电路的速度可以没有特别大的限制往上提高,大幅提升NAND Flash I/O速度到3.0Gbps。

 


另一方面,传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积的20-30%,降低了芯片的存储密度。长江存储在64层这个工艺节点,采用Xtacking™架构跟传统架构的96层相比,容量并未低太多,大概15%左右。

 

面对三星、东芝、西部数据、SK海力士、美光等在3D NAND技术上的快速发展,长江存储即将在8月份发布的Xtacking™ 2.0,是在Xtacking™ 1.0技术上的突破,意味着在自主研发的路上取得了进一步的成绩,也进一步凸显了其技术优势。

 

长江存储计划在年底量产64层3D NAND,同时将导入Xtacking™架构应用,并规划在2020年跳过96层3D NAND技术进入128层3D NAND阶段。根据推算,长江存储Xtacking™ 1.0导入到64层3D NAND,很可能到128层3D NAND会导入Xtacking™ 2.0,这将大幅度缩短与国际大厂在技术上的差距。

 

去年朱一明辞去兆易创新总经理职务,从王宁国手中接手了长鑫存储。合肥长鑫CEO朱一明表达了对中国存储市场的期待,认为终端市场逐步从以计算为核心向以数据为核心发生变革,而市场急需技术和商业模式上的创新突破。

 

 

合肥长鑫项目专注于DRAM的研发、生产与销售,而最初技术来源是奇梦达,之后通过与国际大厂合作,持续投入研发超过25亿美元,并不断完善自身研发技术,目前已累积有1万6千个专利申请,已持续投入晶圆量超过15000片,之前规划是2019年底实现2万片/月产能,加速中国存储芯片国产化目标实现的进程。

 

 
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