几年前的美光,可谓是腹背受敌,不仅在加工技术方面饱受争议,市场销量竞争也不及其他企业。今天,该公司虽在很多方面不敌三星,但相较 SK 海力士而言已经能够迎头赶上。一路奋起直追的美光,在今年 4 月,为了应对 DRAM 和新工艺技术需求的增长,开始在台湾台中附近的园区正式动工,打造新的无尘室来进行内部研发。

 

美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示:“我们相信,受人工智能、自动驾驶汽车、5G 和物联网等广泛长期趋势的推动,内存和存储的长期需求前景是不可抗拒的。”“新美光凭借创新的产品、反应性供应链以及与全球客户建立的良好关系,很好地利用了这些趋势。”

 

台湾美光记忆体已经 100%使用美光第一代 10nm 级制造技术(也称为 1X nm)生产 DRAM 产品,并将在不久的将来直接进入第 3 代 10nm 级工艺(也称为 1Z nm)。与此同时,美光去年在台中附近开设了一家新的测试和包装工厂,创建了全球唯一的垂直集成 DRAM 生产工厂之一。

 

此外,美光还宣布,计划斥资 20 亿美元在日本广岛附近的校园新建一间洁净室。据报道,新的生产能力将用于制造采用美光 13 纳米工艺技术的 DRAM。

 

随着越来越难以扩展新的制造技术(无论是在工程方面还是在财务挑战方面),与所有 DRAM 制造商一样,美光将拥有多个 10 纳米级节点。除了今天使用的第一代和第二代 10 纳米级的工艺技术,鉴于现在面临不同的发展阶段,美光计划引入至少四个以上为 10nm 级的制造工艺:1Z,1 α,1 β和 1 γ (希腊γ,不是 y)。

 

 

TechInsights 的分析师表示,美光已经悄然开始使用其 1Xnm 工艺技术的 die 微缩版本的 1Xs,这意味着美光 10nm 级的制造工艺的总数将超过 6 种。美光本身没有证实这一点,但它表示,它在所有的生产设施中都有研发人员,以确保最高产量(和其他属性),这可能意味着不同晶圆厂可能存在相同节点的变化。

 

目前,美光公司正在加大其用于制造各种产品的第二代 10nm 级制造工艺(即 1Y nm),该工艺用于制造该公司的各种产品包括 12 Gb LPDDR4X 以及 16 Gb DDR4 存储器件