与非网 8 月 14 日讯,之前,SK 海力士开发出了世界首个以四段堆积 DRAMHBM(高带宽内存)。与现有 DRAM 产品相比,数据处理快四倍,耗电量减少 40%左右。计划从明年下半年在位于京畿道利川的总公司工厂正式开始量产。 

 

 

这种超高速存储器采用了硅通孔技术(TSV,Through -Silicon-Via)。这是是一种通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术。是当今世界上速度最快的 DRAM(GDDR5)速度的 4 倍多,可用于人工智能(AI)设备和超级计算机

 

SK 海力士曾表示,首先将把这种超高速存储器用于图形处理的半导体中,此后公司计划为超级计算机,网络,服务器等产品大量生产这一超高速存储器。其新芯片具有业界最快的速度。HBM2E 支持超过每秒 460GB 的带宽,基于每个引脚的 3.6Gbps 速度性能和 1,024 个数据 I / O,这比该公司一年前开发的 HBM2 DRAM 高出 50%。

 

据了解,SK 海力士通过使用“穿硅通孔”(TSV)技术垂直堆叠 8 个 16 Gb 芯片,开发出 16 GB 存储器封装。SK 海力士将于 2020 年开始批量生产新芯片。新的存储器产品主要用于需要高速、高性能存储器的图形卡,超级计算机,AI 和服务器。

 

SK 海力士计划凭借 HBM2E DRAM 在下一代存储器半导体市场中处于领先地位。其第二季度的 DRAM 销售额为 42.6 亿美元,占全球市场的 28.7%。

 

“自 2013 年发布全球首款 HBM DRAM 以来,SK 海力士一直以技术竞争力为主导市场,”负责该公司 HBM 业务战略的 Jeon Jun-hyun 表示,“明年我们将开始批量生产 HBM2E,将继续加强我们在市场上的技术优势。”

 

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