SK 海力士四段堆积 DRAM 量产时间确定:处理速度快 4 倍,耗电量减少 40%

2019-08-14 14:56:40 来源:EEFOCUS
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与非网8月14日讯,之前,SK海力士开发出了世界首个以四段堆积DRAMHBM(高带宽内存)。与现有DRAM产品相比,数据处理快四倍,耗电量减少40%左右。计划从明年下半年在位于京畿道利川的总公司工厂正式开始量产。 

 

 

这种超高速存储器采用了硅通孔技术(TSV,Through -Silicon-Via)。这是是一种通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术。是当今世界上速度最快的DRAM(GDDR5)速度的4倍多,可用于人工智能(AI)设备和超级计算机

 

SK海力士曾表示,首先将把这种超高速存储器用于图形处理的半导体中,此后公司计划为超级计算机,网络,服务器等产品大量生产这一超高速存储器。其新芯片具有业界最快的速度。HBM2E支持超过每秒460GB的带宽,基于每个引脚的3.6Gbps速度性能和1,024个数据I / O,这比该公司一年前开发的HBM2 DRAM高出50%。

 

据了解,SK海力士通过使用“穿硅通孔”(TSV)技术垂直堆叠8个16 Gb芯片,开发出16 GB存储器封装。SK海力士将于2020年开始批量生产新芯片。新的存储器产品主要用于需要高速、高性能存储器的图形卡,超级计算机,AI和服务器。

 

SK海力士计划凭借HBM2E DRAM在下一代存储器半导体市场中处于领先地位。其第二季度的DRAM销售额为42.6亿美元,占全球市场的28.7%。

 

“自2013年发布全球首款HBM DRAM以来,SK海力士一直以技术竞争力为主导市场,”负责该公司HBM业务战略的Jeon Jun-hyun表示,“明年我们将开始批量生产HBM2E,将继续加强我们在市场上的技术优势。”

 

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