美光第三代 10nm 制程已量产，首批器件功耗降低 40%

与非网 8 月 19 日讯，美光宣布 1z nm 制程存储芯片量开始产，器件功耗降低 40%。

前两天，美光公司宣布该公司以开始量产基于第三代 10nm 制程（又称 1z nm）制程的存储芯片，首批到来的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件，这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。随着时间的推移，该公司还将进一步扩大其产品组合。与第二代 10nm 工艺相比， 新工艺使得美光能够提升 DRAM 芯片密度，在增强性能的同时、降低产品的功耗。

在内存工艺进入 20nm 之后，由于制造难度越来越高，内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了 1X、1Y、1Z，大体来说 1Xnm 工艺相当于 16-19nm 级别、1Ynm 相当于 14-16nm，1Znm 工艺相当于 12-14nm 级别。

根据美光之前公布的路线图，实际上 1Znm 之后还会有 1αnm、1βnm、1γnm，这样一来 10nm 级别就有六种制造工艺了，现在正好演进到到了第三代。
美光表示，与上一代 1Ynm 制程相比，1Znm 16Gb DDR4 内存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本，不过美光并没有给出具体的数据，性能提升多少、成本降低多少尚无确切数据，唯一比较确切的就是说 1Znm 16Gb DDR4 内存相比前几代 8Gb DDR4 降低了大约 40%的功耗，但这个比较也太过宽泛。
此外，美光还宣布批量出货基于 UFS 多芯片封装 uMCP 的、业界容量最高的 16Gb LPDDR4X 内存，满足了业界对低功耗及更小封装的的要求。

 
值得一提的是，第三代 10 nm 制程的 16Gb DDR4 器件功耗，较同频的两个 8Gb DDR4 DRAM 还要低 40% 。 

至于 16 Gb LPDDR4X IC，美光称其更是提升了 10% 的能效。由于第三代 1Z nm 工艺较第二代 1Y nm 的比特密度更高，该公司可产出性价比更高的存储芯片。 

鉴于美光未透露 16 Gb DDR4 DRAM 的速度分档，我们只能预计其符合 JEDEC 的官方指定范围内。 

预计首批 16 Gb DDR4 DRAM 产品将用于台式机、笔记本、工作站上的高容量（32GB 或更高）内存模组。 

移动存储器方面，美光 16 Gb LPDDR4X 芯片的传输速率可达 4266 MT/s 。 

除了为高端智能机提供高达 16 GB（8x16Gb）的 LPDDR4X DRAM 封装，美光还将提供基于 UFS 的多芯片封装（uMCP4），将 NAND 用于存储和 DRAM 。 

该公司针对主流手机的 uMCP4 系列产品，将包括 3GB RAM + 64GB ROM 至 8GB RAM + 256GB ROM 等产品。 

最后，美光没有透露其生产 1Z nm 制程 16 Gb DDR4 / LPDDR4X 芯片的工厂。不出意外的话，应该会在日本广岛工厂内生产。 

与此同时，分析师猜测该公司会在台中附近的 Micron Memory Taiwan（前 Rexchip Semiconductor）晶圆厂启用 1Z nm 制程生产线。 

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