国产 GaN 强势崛起,8 英寸 外延材料项目已投产

2019-09-11 16:47:42 来源:EEFOCUS
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GaN   晶圆

与非网9月11日讯,聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”在青岛市即墨区盛大举行。青岛市即墨区区长吕涛、副区长李黎等出席。

 

 

据悉,该项目一期建成产能为年产1万片6-8英寸GaN外延晶圆。聚能晶源项目是青岛市重点项目,有望成为全球领先的GaN外延材料专业制造商。

 

耐威科技董事长杨云春表示,耐威科技自上市以来,积极在物联网产业领域进行布局,重点发展MEMS和GaN业务。其中在GaN领域,耐威科技在即墨投资设立了聚能晶源公司,专注GaN外延材料的研发生长;在崂山投资设立了聚能创芯公司,专注GaN器件的开发设计。从入驻到项目建成投产,聚能晶源仅仅用了一年多的时间,离不开青岛市与即墨区各级政府的大力支持与耐心指导。

 

 

聚能晶源总经理袁理博士现场发布了多系列6-8英寸GaN外延晶圆产品,并对项目及产品做了相关介绍。其中,8英寸硅基氮化镓外延晶圆与6英寸碳化硅基外延晶圆,可满足下一代功率与微波电子器件对于大尺寸、高质量、高一致性、高可靠性氮化镓外延材料的需求,为5G通讯、云计算、新型消费电子、智能白电、新能源汽车等领域提供核心元器件的材料保障。

 

“我们希望能以此为契机,积极把握第三代半导体产业的国产替代机遇,在青岛继续建设第三代半导体材料生产基地及器件设计中心,继续为我国集成电路产业的发展贡献自己的力量。”杨云春说。

 

 

据悉,聚能晶源项目掌握全球领先的8英寸硅基氮化镓外延与6英寸碳化硅基外延生长技术。在功率器件应用领域,产品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆与8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆。同时,聚能晶源将自有先进8英寸GaN外延技术创新性地应用在微波领域,开发出了兼具高性能与大尺寸、低成本、可兼容标准8英寸器件加工工艺的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圆。在硅基氮化镓之外,聚能晶源也拥有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圆产品线,满足客户在碳化硅基氮化镓外延材料方面的需求。

 

 

以聚能晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆产品为例。该型GaN外延晶圆具有高晶体质量、低表面粗糙度、高一致性的材料特点。同时具有低导通电阻、高耐压、低漏电、耐高温的电学特性。值得一提的是,聚能晶源GaN外延晶圆具有优秀的材料可靠性,根据标准TDDB测试方法,其在标称耐压值下的长时有效寿命达到了109小时,处于国际业界领先水平。采用聚能晶源的GaN外延晶圆,客户在开发GaN器件时可实现高性能、高一致性、高良率、高可靠性等优势,帮助客户抢占第三代半导体器件领域的竞争先机。

 

官网资料显示,聚力成半导体有限公司(GLC),团队由国內外各大知名半导体公司华籍专家组成,旨在採用GaN核心技術以实现电力电子與射頻领域的高速革命。GLC核心技术团队拥有硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片的开发及生产能力,基于这些技术,可在芯片生产、封测服务实现了这一革命,该功率IC预估可将开关速度提高100倍,同时将节能提高40%或更多。


在电力电子领域,GLC具备开发6英寸650V/100V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片技术能力,实现650V/15A硅基氮化镓功率器件的生产工艺。


在微波射频领域,GLC同样具有研发碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料的技术能力,技术团队在射频芯片生产工艺的开发,有多年丰富经验,未来产品将定位为射频通讯和射频能量市场。


数据显示,GLC於重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂计划建成年产能24万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线,总投资约50亿人民币。


目前,国内已有多家企业布局氮化镓产业,除了聚力成半导体外和耐威外,另外还有江苏能华、英诺赛科、三安集成、江苏华功、大连芯冠和海威华芯等,其中英诺赛科的8英寸Si基GaN生产线已经相继开始启用。早前他们的苏州工厂也顺利封顶。


国产GaN正式掀起了一个新时代,但笔者认为,只有技术过硬,能拿出产品的公司,才会是这波潮流的最终胜利者。

 

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