与非网 9 月 18 日讯,在今年的 6 月 30 日,紫光集团宣布组建 DRAM 事业群,刁石京为紫光集团 DRAM 事业群董事长,高启全为紫光集团 DRAM 事业群 CEO。


在 DRAM 领域,紫光旗下西安紫光国芯自主创新出全球首系列内嵌自检测修复 DRAM 存储器产品;在 3D NAND 闪存领域,紫光旗下长江存储研发并已小批量生产了 32 层 3D NAND 闪存芯片。

 

 

据报道, 紫光集团 DRAM 事业群 CEO 高启在采访中表示,紫光集团决定自主研发 DRAM,且大基金和重庆产业基金都会投资,初期研发中心将设在武汉,等到研发有了成果才会在重庆设厂生产。


他强调,人才是最大的挑战。公司正建立研发团队,希望五到十年能看到研发成果。但高启全不愿透露更多细节,包括新公司何时成立、研发阵容以及投资金额等。


同时,高启全表示,紫光集团未来投入 DRAM 领域,也会走先前开发储存型 NAND Flash 的自主研发模式。目前相关制程专利都掌控在三星、SK 海力士和美光三大厂手中,紫光集团若要技术自主,就要投入更多的人力和时间。


目前韩国和美国都不愿将技术授权给中国大陆厂商,而且中美贸易战还在浪头上,美光也不会和紫光结盟,因此中国要规避三大厂的专利,不是短时间可以达成的,得靠汇集更多优秀人才,希望五到十年能看到成果。

 

此前在 8 月底,紫光集团就宣布跟重庆市政府签署投资协议,在重庆建设 DRAM 事业群总部及内存芯片工厂,预计今年底动工,并规划 2021 年正式量产内存。


话句话说,尽管存储器是我国集成电路产业的“短板”,但现在国家正坚持大力推进这一重点领域。


对于紫光集团积极冲刺 DRAM 自主研发,也有消息人士透露,紫光集团内部已计划将在未来十年内投资 8000 亿元人民币,以加快 DRAM 量产。


只有用心,才能有“芯”。

 

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