国产内存芯片正加速发展，何时才能彻底打破垄断？

与非网 10 月 11 日讯，目前在全球的消费电子市场上，存储器是名副其实的电子行业“原材料”。如果再将存储器细分，又可分为 DRAM、NAND Flash 与 Nor Flash 三种。

投资存储芯片领域 1500 亿美元，我国几乎表明了自给自足的决心。目前国内已有三家企业已经进入这一领域，合肥长鑫和长江存储分别在 DRAM 和 NAND FLASH 技术工艺的扩展和发展。福建晋华曾经是第三家，但由于美国商务部对其 DRAM 设备、器件的禁售，导致其暂陷入困境。

紫光集团是中国发展存储芯片的领头羊，成立长江存储，研发、生存 NAND 闪存，还有做 DDR 内存的紫光国微等子公司。

根据长江存储和合肥长鑫的产品发展路线图。到 2020 年，长江存储直接跳跃到 128 层 3D NAND 的目标，并消除从 64 层到 128 层的过程，且绕开主要 NAND 制造商生产的 96 层闪存芯片。到 2021 年，分别在 NAND FLASH 和 DRAM 的产品研发进度上取得突破，后者将完成 17nm 的研发。

存储器领域经过几十年的发展，由全球六家公司控制，分别为三星，东芝，美光，西部数据，SK 海力士和英特尔。DRAM 市场更加集中，只有三家公司生产几乎所有的 DRAM 芯片。它们分别是三星，SK 海力士和美光。

反观国内，长江存储着力于 NAND FLASH 的生产，合肥长鑫致力于 DRAM 的生产。

除武汉和合肥外，我国另外三个城市也正在建设存储器工厂。同时，晋江也可能会开始 DRAM 生产，但是目前由于法律问题，参与其中的公司福建晋华目前处于困境。

随着国内半导体产业投入的加大，国内存储器行业也将迎来加速发展，虽然在短期内难以撼动三星、SK 海士力以及镁光三足鼎立的局面，但未来凭借国内庞大的内需市场、优秀的开发能力，以及具国际水准的产能，必将在全球半导体产业拥有一席之地。

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