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与非网 10 月 12 日讯，NAND Flash 价格持续走低，三大 NAND 生产厂商 Intel、美光以及 SK 海力士开始减缓生产速度，其发展情况到哪一步了？对中国来说又有何机遇？
有消息称，三星西安二期工厂已安装部分设备并开始试运行，预计将在 2020 年 2 月开始批量生产，另外西安二期工厂的建设也基本完成。2020 年 5G 手机将掀起一波换机需求，而中国是重要的市场，同时对大容量 NAND Flash 需求也会增加，在贸易紧张的关系下，三星加大在中国新工厂的投资，将可更好的满足中国市场需求。
SK 海力士在清州兴建的 M15 工厂已经开始投产，M16 工厂也被提上日程，计划 2022 年完工，用上最先进的 EUV 光刻工艺。技术方面，6 月 26 日，SK 海力士宣布已成功开发世界上第一款“128 层 1Tb 的 4D NAND 闪存”，即将投入量产。
美光自去年开始扩建新加坡的 Fab 10 工厂，旨在进行新的 3D NAND 工艺节点转换，并且保持和现在一样的晶圆产量，今年 8 月，美光新加坡 Fab 10A 新工厂完成。美光的第四代 3D NAND 芯片完成首批流片，新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构，将于明年开始小范围量产。
改名后的东芝近日宣布与西数共同投资的日本岩手县 K1 工厂将于 2020 年上半年开始生产。据了解，K1 工厂将生产 3D 闪存，以支持数据中心、智能手机和自动驾驶汽车等应用不断增长的存储需求。东芝还打算在四日市投资兴建 Fab 7 工厂，计划 2022 年投入生产，届时东芝将会有 8 座工厂投入运营。
英特尔作为最早做储存器的企业之一，已经连续多年是是全球半导体销售额的首位， 如今时隔 34 年后它宣布要重返存储器市场。上个月，英特尔介绍了其在 3D NAND 闪存上的最新动态。
在 NAND Flash 市场中，三星、东芝、镁光、SK 海力士、西部数据、英特尔这六家企业长期垄断着全球 99%以上的份额。东芝高管也曾表示，中国内存能在三年内赶上不容易。
后来者长江存储，其实早在 2018 年，就已经量产了 32 层 3D NAND 闪存芯片。
然而在 2018 年，各家的 64 层、72 层 3D NAND 闪存已经是主打产品，早已全面铺货，落后一代的差距使得当时长江存储并没有引起业界关注。
不过，今年 9 月长江存储宣布开始量产基于 Xtacking 架构的 64 层 256GB 3D NAND 闪存 ，中国距离国际水平又近了一步。
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