与非网 10 月 22 日讯,之前,在半导体市况好的时候,南韩三星在中国陝西省西安市和南韩京畿道平泽市所扩增的半导体生产线,如今面临了在记忆体市场价格跌价的情况下,何时进一步启动运作的大问题。

 

因为,一但三星启动新的产线,则将对目前好不容易有复甦迹象的半导体市场再进行一次的重击,使得市场重回供过于求,价格下跌的困境。但是,面对竞争对手开始进行增产的计划,三星也怕可能失去市场佔有率。因此,这样问题让三星目前陷入两难的困扰中。

 


根据南韩媒体 《BusinessKorea》 的报导,原本三星预计在 2019 年藉由更新生产设备,使得 DRAM 的生产由 1x 纳米制程提升至 1y 纳米制程,来进一步调整 DRAM 的产能,达到以量制价恢复市场价格的目标,使整个半导体产业能重回成长的行列。但是,根据最新的报价显示,截至 2019 年 9 月底,DRAM (DDR4 8 Gb) 和 NAND Flash 快闪记忆体 (128 Gb MLC) 的价格分别为 2.94 美元和 4.11 美元,已经连续 2 个月没有变化,这使得三星开始考虑,是否真的要让新产能进行启动。


报导指出,事实上在 2019 年第 2 季财报公布后,三星的竞争对手包括 SK 海力士,东芝及美光等厂商宣佈降低 DRAM 和 NAND Flash 快闪记忆体的产能。

 

而这样的降低产能计划,虽然让半导体的供应量减少,但是却使得厂商能藉由调整供过于求的情况,来达到缓和记忆体价格下跌的目标。

 

但是,这样的情况到了 2020 年可能将会变得更加困难。原因是三星在中国西安的第 2 家工厂和平泽的第 2 家工厂预计将开始大规模生产记忆体,如此一来则记忆体价格的再度下跌将是不可避免的事情。因此,出于这种担忧,三星表示目前尚未决定何时让新产线正式运作,或者是生产那种产品。


报导进一步表示,根据市场人士的推测,三星位在中国西安的第 2 家工厂将像第 1 家工厂一样进行 NAND Flash 快闪记忆体的生产。原因是 NAND Flash 快闪记忆体价格在 2019 年上半年的下滑已经到了价格平衡点 (BEP),这使得三星西安的第 2 家工厂有可能被用作 NAND Flash 快闪记忆体的生产基地,以在地供应需求量很大的中国市场。不过,这样的说法已经遭到了三星的否认,并且表示目前尚未进行任何的决定。


另外,近期竞争对手的举动加剧了三星的担忧。因为全球第三大 DRAM 制造商美光 (Micron) 在上个月的财报会议中指出,由于 2020 年 DRAM 的需求预计将成长 18% 至 20%,因此美光将相应的增加 DRAM 的供应,并宣布了其扩产计划。

 

虽然,凭藉其在技术和生产能力方面的竞争优势,三星可以轻易的打败竞争对手。但是,考虑到该产业最近的全球形势,这依旧是非常冒险的。


尽管由于 5G 普及,让人们对记忆体市场的另一个超级循环周期有所其期待。但是,因为苹果要到 2020 年下半年才发布 5G iPhone,这使得 2020 年对记忆体的需求预计将受到一些限制。再加上近来伺服器市场对 DRAM 的大量需求,在最近几年中的确大幅度地推动了三星在市场中的出色表现。


由于三星在平泽的第二家工厂投资了 30 兆韩圜,可以开发基于 EUV 技术的 DRAM 生产,并且扩大晶圆代工方面的产能。因此,在该工厂建成后,该公司将根据市场情况弹性应用。市场人士也指出,目前记忆体的生产晶片需要考虑的因素很多,除设厂状况之外,还包括美中贸摩擦的后续,甚至是 2020 年美国总统大选的结果等。

 

业界认为,三星扩厂将增加市况不确定性。不同于 DRAM 市场,NAND 市场正逐渐显示复甦迹象,128Gb MLC NAND 快闪记忆体产品 9 月底报价维持在 4.11 美元,与 8 月持平,7 月底则出现两年来首度价格回升的状况,8 月更写下逾 2%的涨幅。

 

在当前情况下,三星额外投资与扩产将不会大幅冲击市况,但在 SK 海力士与美光等其他厂商减产之际,三星将乘机拿下更多市占。市研业者 IHS Markit 表示,三星的 NAND 市占率在今年第 3 季已上升至 38.6%,较第 1 季增加 6 个百分点。