与非网 11 月 6 日讯,格罗方德(GlobalFoundries)与 SiFive 周二宣布,两家公司将共同开发基于 12LP / 12LP+ FinFET 工艺的 HBM2E 存储器。打包的这一 IP,使得 SoC 设计人员能够将 HBM2E 快速集成到需要大量带宽的芯片设计中。具体说来是,两家公司的 HBM2E 实施方案包括了格罗方德设计的 2.5D 封装(中间层),以及 SiFive 开发的 HBM2E 接口层。



除了 HBM2E 技术,SiFive 还允许被授权放使用该公司的 RISC-V 产品组合、以及格罗方德的 12 / 12LP+ DesignShare IP 生态系统,使得 SoC 开发人员能够基于格罗方德先进的制造技术,来打造基于 RISC-V 的设备。


两家公司指出,12LP+ 制造工艺和 HBM2E 的实施,将主要用于先进的人工智能训练和推理应用,并希望供应商对 TOPS 性能进行优化。
此外,对于格罗方德而言,其需要特殊的工艺、且可能由于成本或其它原因,而无法为应对台积电(TSMC)和三星(Samsung Foundry)的领先工艺做好准备。


至于 SiFive 的合作,本身也有点棘手,毕竟 RISC-V 本身不太可能用于深度学习加速器的核心逻辑。但至少,它是可用于控制其中数据流所需的嵌入式 CPU 内核的可靠架构。


据悉,SiFive 的 HBM2E 接口、以及针对格罗方德 12LP / 12LP + 技术的定制 IP,正在纽约马耳他的 GF 8 号工厂开发中。两家公司预计,其能够在 2020 上半年完成工作,届时将开放 IP 的授权工作。