与非网 11 月 7 日讯,据悉,世纪金光研制成功了碳化硅 6 英寸单晶并实现小批量试产,研发的功率器件和模块也已大批量应用于新能源汽车、光伏、充电桩、高能效服务器电源、特种电源等领域,实现第三代半导体碳化硅关键领域全面布局。

 

新闻主体:北京世纪金光半导体有限公司是一家致力于第三代宽禁带半导体功能材料和功率器件研发与生产的国家级高新技术企业。公司成立于 2010 年 12 月 24 日,注册资金 26,613 万元,位于北京经济技术开发区,占地 56 亩,总建筑面积达 9.3 万平米。经过多年的发展,公司已完成从碳化硅功能材料生长、功率元器件和模块制备、行业应用开发和解决方案提供等关键领域的全面布局。逐步突破国外技术封锁,实现全产业链自主可控。

 

 

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的典型代表,具有低能耗、体积小、重量轻等特点,国际上都在竞相研发碳化硅半导体制备技术。与第一代半导体材料硅(Si)相比,拥有更加优异的物理化学特性,使得碳化硅器件能降低能耗 20%以上、减少体积和重量 30%-50%,降低碳排放量 20%以上,实现电力电子系统的高效化、小型化、轻量化和低耗化。

 

国际上部分国家在该领域起步早,6 英寸碳化硅衬底已经量产,8 英寸已研制成功。而国内,以 4 英寸为主,6 英寸尚处在攻关阶段。

 

世纪金光早在 2010 年落户经开区时就开始进行第三代半导体的研究研发工作。近几年来,世纪金光创新性地解决了高纯碳化硅粉料提纯技术、6 英寸碳化硅单晶制备技术、高压低导通电阻碳化硅 SBD、MOSFET 材料、结构及工艺设计技术等。目前已完成从碳化硅功能材料生产、功率元器件和模块制备、行业应用开发和解决方案提供等关键领域的全面布局。

 

而为了持续推进第三代半导体碳化硅产品的研发与应用,世纪金光还将成立联合实验室和联合应用中心,共同推动基于第三代半导体功率器件在新能源汽车、充电桩、光伏、航空航天等领域的应用。

 

据了解,截至 2012 年底,全球碳化硅产能达 260 万吨以上,产能达到 1 万吨以上的国家有 13 个,占全球总产能的 98%。其中中国碳化硅产能达到 220 万吨,占全球总产能的 84%。碳化硅电力电子器件将广泛应用于电动汽车、轨道交通、智能电网、通讯雷达和航空航天等重要国民经济和军工领域。