与非网 12 月 11 日讯,台工业技术研究院昨日于美国举办的国际电子元件会议(IEDM)中发表铁电存储器(FRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)等 6 篇技术论文。其中,从研究成果显示,工研院相较台积电三星的 MRAM 技术更具稳定、快速存取优势。

 

IEDM 为年度指标性的半导体产业技术高峰会议,每年由来自全球最顶尖的半导体与奈米科技专家一同探讨创新的电子元件发展趋势,工研院的多篇新兴记忆体于会中发表,展现团队深耕记忆体领域获国际肯定的丰硕成果,同时发表论文的机构包括英特尔、台积电、三星等国际顶尖半导体公司。

 

图源:工研院

 

工研院电光系统所所长吴志毅表示,5G 与 AI 时代来临,摩尔定律一再向下的微缩,半导体走向异质整合,不同的技术整合性越来越强,能突破既有运算限制的下世代记忆体将在未来扮演更重要角色。

 

新兴的 FRAM 及 MRAM 读写速度比大家所熟知的快闪记忆体快上百倍、甚至千倍。其中,FRAM 的操作功耗极低,适合 IoT 与可携式装置应用,而 MRAM 速度快、可靠性好,适合需要高性能的场域,像是自驾车,云端资料中心应用等,两者都是非挥发性记忆体,均具备低待机功耗、高处理效率的优势,未来应用发展潜力可期。

 

他进一步指出,FRAM 的操作功耗极低,适合物联网、可携式设备应用,主要研发厂商是德仪、富士通;MRAM 速度快、可靠性好,适合需要高性能的场域,如自驾车、云端数据中心等,主要开发厂商有台积电、三星、英特尔、格芯等。

 

工研院解释,相较台积电、三星等即将导入量产的第 2 代 MRAM 技术,SOT-MRAM 为以写入电流不流经元件磁性穿隧层结构的方式运作,避免现有 MRAM 操作时,读、写电流均直接通过元件对元件造成损害的状况,同时也具备更稳定、更快速存取数据的优势。

 

在 MRAM 技术的开发上,工研院也于 IEDM 中发表自旋轨道转矩(Spin Orbit Torque;SOT)MRAM 相关的最新研成果。相较于台积电、三星等公司即将导入量产的第二代 MRAM 技术,SOT-MRAM 为全球积极研究中的最新第三代技术,以写入电流不流经元件磁性穿隧层结构的方式运作,避免现有 MRAM 操作时,读、写电流均直接通过元件对元件造成损害的状况,同时也具备更稳定、更快速存取资料的优势。相关的技术并已成功的导入工研院自有的试量产晶圆厂,后续商品化的进度可期。

 

在经济部科专的支持下,工研院成功的在全球指标性的 IEDM 中发表新兴记忆体相关成果;在这个以创新前瞻为导向的国际舞台发光,证明了工研院的研发成果获得肯定。工研院并将以累积多年的记忆体元件相关研发能量,携手半导体厂商,抢攻下一波 5G 与 AI 趋势发展商机。