与非网 12 月 13 日讯,近年来,英特尔在业内批量揽才,先后挖来了 Jim Keller、Raja Koduri 和 Murthy Renduchintala 等技术大牛,这让英特尔的技术实力如虎添翼。近日英特尔(Intel)聘请了前格芯(GlobalFoundries)CTO、前 IBM 微电子业务主管 Gary Patton 博士。

 

Gary Patton 博士在半导体工艺方面造诣深厚,早些年就在 IBM 挑大梁,2015 年 GF 收购了 IBM 晶圆制造业务,他也随即进了 GF,担任 CTO,一直负责尖端工艺的研发。但格芯去年宣布放弃 10nm 以下工艺研发,并专注于利润更高的 14/12nm 工艺和其他特色工艺,公司的战略改变直接导致了一批传统高层技术人员外流,Gary Patton 也是其中之一。

 

 

获悉,此次 Gary Patton 在英特尔将担任企业副总裁、设计实现总经理,负责建设生态系统、部署特定工艺,以及处理器设计套件开发(PDK)、IP、工具等,促成新工艺满足预设的性能、成本、上市时间需求。

 

目前来说,在晶圆厂之战已变为“三分天下”的格局,这三家分别是英特尔、台积电、三星。

 

英特尔方面,日前报道中爆料的 2 年一更新的制程之路来说,虽然这是一个乌龙事件,但这是第一个被 ASML 爆料出的 1.4nm 工艺。当然,英特尔还强调了在每个流程节点之间,将会有迭代的+和++版本,以便从每个流程节点提取性能。但在 EUV 方面,仍然需要至 2021 年才会上 EUV 设备。

 

台积电方面,众所周知在 EUV 工艺上属于“熟练掌握”的玩家,诚然晶圆厂在标注制程方面通常也会使用一些技巧导致台积电 7nm 工艺与英特尔 10nm 工艺性能并无二异。但单纯从数字上面来看,目前台积电已在 5nm 方面进入量产倒计时,3nm 与 2nm 已提上了日程并且远比英特尔要早。不过有了之前的经验,或许性能方面仍然不会有差别。

 

三星方面,则稳扎稳打,从 14nm、10nm、7nm、3nm 四个主要节点进行规划,而在 3nm 节点以后,三星要放弃 FinFET 转向 GAA 晶体管,3GAE 工艺和 3GAP 工艺的优化改良之路还远矣。

 

半导体行业对顶尖人才的要求非常高,往往是一个领头人带着一个大团队披襟斩棘最终取得成功。正是因为如此,英特尔对于顶尖人才的追求才会如此积极。而且摩尔定律的 2 年一更新仍然在持续之中,而如若走在在 1nm 制程以下,摩尔定律该如何继续延续,这将成为一个严肃的问题。