与非网 12 月 22 日讯,据韩媒报道,市场研究公司预测,基于固态硬盘密度和性能提升,明年全球 NAND 闪存需求将增加,5G 通信、人工智能、深度学习和虚拟现实将引领明年全球 DRAM 和 NAND 闪存市场的增长。

 

目前存储器合约价格不一定会出现急涨,但整体存储器供应链库存水位降低至尾声,随着需求稳健上扬,5G 及服务器应用在第 2 季成长力道转强,预计 2020 年下半 DRAM 与 NAND Flash 将出现产能吃紧。

 

 

相较于 2018 年第 4 季,2019 年底 NAND Flash 及 DRAM 市场价格已大幅下跌 6 成,其中,有一半的跌幅都在 2019 年第 2 季发生,第 3 季起市场开始需求回升,根据近期系统厂商陆 2020 年订单展望,预期 2020 年整体 ASP 价格将可望明显优于 2019 年,预期价格回升将可达到 3 成,NANDFlash 的回涨速度将比 DRAM 价格更快反应。

 

IC Insights 预估,2019 年 NAND Flash 与 DRAM 市场分别衰退 27%和 37%,在 2020 年将分别迎来 19%与 12%的年成长表现,NAND Flash 预期将成为 2020 年 33 款 IC 产品类别中,增幅度最高的产品。

 

此前世界半导体贸易统计组织 (WSTS)预测,明年存储芯片行业和全球半导体市场整体将分别增长 4.1%和 5.9%。乐观的前景是基于 5G 服务对移动芯片的需求增加,以及英特尔下一代 Ice Lake 服务器芯片需求增加。

 

根据调研机构 DRAMeXchange 的数据,移动设备芯片需求占去年 DRAM 总需求的 32%,预计此比例今年将增长到 34%。随着 5G iPhone 的发布以及华为在 5G 智慧型手机的发展。Kiwoom Securities 估计,到 2020 年,全球 5G 智慧型手机销量将达到 1.77 亿部,高端移动 DRAM 需求将增长 45%,整体行动 DRAM 需求增长 22%。

 

长江存储预期武汉新厂至 2020 年底,单月晶圆产能可提升至 6 万片,约占全球产能 5%;长鑫储存预期投资 80 亿美元兴建的合肥厂,单月 DRAM 芯片产能可达 4 万片晶圆,约占全球 DRAM 产能 3%。

 

全球 DRAM 年产能约达 140 万片左右,目前合肥长鑫的规划,一个厂房进入全产能的市占率仅约 3%,未来 3 个厂区全面投产的市占率约 9%,对于整体 DRAM 市场的供需影响及价格冲击仍然很有限。

 

由于 2020 年 5G 带动相关需求回升,国际大厂扩产保守,国内两大新进厂商产能占全球比重仍低,预期存储器报价维持稳中有升的格局。