与非网 12 月 26 日讯,三星在半导体存储领域的优势一直是无可替代。

 

昨日,三星西安(中国)12 英寸闪存芯片二期第二阶段项目正式开工,将投资 80 亿美元用于新建工厂,预计于 2021 年下半年竣工,将用于投产其先进的 100+层 3D NAND。

 

 

据悉,三星在 2012 年落户西安,2013 年投资 108 亿美元,新建一期项目,并于 2014 年建成投产,满载月产能 12 万片。

 

二期项目分为两个阶段,总投资 150 亿美元,主要制造闪存芯片。其中,二期项目第一阶段投资约 70 亿美元,于 2018 年新建,预计明年 3 月竣工投产;第二阶段投资 80 亿美元,2021 年下半年竣工。二期项目建成后将新增产能每月 13 万片,新增产值 300 亿元,解决上千人就业,并带动一批配套电子信息企业落户。

 

在 3D NAND 技术方面,三星 2019 年积极提高 96 层 3D NAND 生产比重,广泛应用于 SSD 产品中,并在 6 月份宣布推出第六代 V-NAND(128 层 256Gb 3D TLC NAND),8 月份已基于该技术批量生产 250GB SATA SSD,第四季度实现了第六代 128 层 512Gb TLC 3D NAND 的量产,计划于 2020 年投入到 SSD 等市场应用,且正在针对 5 年内达到 500 层或更多层的堆栈进行研究。

 

2017 年 8 月 30 日,三星电子株式会社与陕西省政府签署了投资合作协议,决定在西安高新综合保税区内建设三星(中国)半导体有限公司存储芯片二期项目。


今年 12 月 10 日,三星电子闪存芯片项目二期第二阶段 80 亿美元投资正式启动。


2018 年 3 月 28 日,三星电子高端存储芯片二期项目正式启动,目前,项目前期基础设施建设和厂房建设已经完成,即将进入内部装修和机电设备安装阶段。

 

据悉,目前“西安造”的高端存储芯片占到整个三星同类产品的 37%,占到全世界同类产品的 13%。

 

2019 年 7 月初,日本对韩国实施半导体关键原材料出口限制,要求相关项目必须逐一取得许可,一度导致 8 月日本对韩国氟化氢出口为零,日韩贸易摩擦不断升级。据日本经济产业省最新消息称,日本现已放宽了部分半导体材料对韩出口管制,日方将允许特定企业间的交易适用有效期为三年。


虽然日本对韩国出口的限制放宽,但潜在的风险依然存在。因为主要涉及的是半导体领域的关键材料,所以韩国企业包括三星、SK 海力士等纷纷加大原材料的本土化生产,以及转向中国企业寻求替代方案。无论是对于三星自身而言,还是对于中国经济以及中国企业而言,三星扩大在中国的投资,都起到了互利的作用。