2020年度IEEE荣誉勋章授予胡正明，发明FinFET使摩尔定律得以延续

近日，国际电气与电子工程学会理事会宣布，授予国际电气与电子工程学会终身 Fellow（IEEE Life Fellow）胡正明（Chenming Hu）教授 2020 年度 IEEE 荣誉勋章（IEEE Medal of Honor），以表彰他在半导体模型开发和应用方面做出的杰出贡献，特别是发明了使摩尔定律得以延续数十年的鳍式场效应晶体管结构（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）。
 

IEEE 荣誉勋章评审委员会称：摩尔定律推动了半导体行业的惊人发展，从而改变了世界。但是很明显，器件极限将终结器件尺寸的不断缩小。胡正明革命性的 3D 晶体管结构 FinFET 克服了这些极限障碍，取代了在过去的五十年中一直在工业上使用的 CMOS 晶体管。他的用于电路设计的 BSIM 晶体管模型已成为行业标准，并且他的 BERT 可靠性仿真工具具有非常先进的器件和电路可靠性。

该奖项将于 2020 年 5 月 15 日，在温哥华万豪酒店（JW Marriott Parq Vancouver）举行的 IEEE 愿景、创新和挑战峰会期间的年度 IEEE 荣誉典礼上颁发。
 
胡正明教授在 1999 年发明了鳍式场效应晶体管（FinFET），素有“鳍式场效应晶体管之父”的美称。
 
鉴于胡正明教授伟大的发明，2009 年荣获 IEEE 西泽奖章（IEEE Nishizawa Medal），“for achievements critical to producing smaller yet more reliable and higher-performance integrated circuits 以表彰胡正明教授对于生产更小、更可靠和更高性能的集成电路至关重要的成就。”2015 年荣获“美国国家技术与创新奖”，“for pioneering innovations in microelectronics including reliability technologies, the first industry-standard model for circuit design, and the first 3D transistors—which radically advanced semiconductor technology.”以表彰胡正明教授在微电子领域的先驱性创新，先进的半导体技术的发明，包括可靠性技术、首个用于电路设计的行业标准模型以及首个鳍式场效应晶体管。”

IEEE 荣誉勋章始于 1917 年，每年评选出一位对半导体产业有重大贡献的科学家，1965 年和 1976 年出现空缺，至今共有 102 位科学获得荣誉勋章。

IEEE 荣誉勋章评审标准：成就的实质意义，独创性，对社会的影响，对产业的影响，与成就相关的出版物和专利，并考虑提名的质量。

在胡正明之前，还有两位华人获得过 IEEE 荣誉勋章，分别是 1994 年的卓以和（Alfred Y. Cho）和 2011 年的张忠谋（Morris Chang）。卓以和和张忠谋的重要贡献参见《影响半导体发展进程的六个中国人》。

英特尔三位创始人 Robert Noyce、Andrew Grove、Gordon Moore 分别于 1978 年、2000 年、2008 年都获得 IEEE 荣誉勋章。
 
晶体管发明人 William Shockley、锗集成电路发明人 Jack St. Clair Kilby 分别于 1980、1986 年获得 IEEE 荣誉勋章。

胡正明教授 1947 年 7 月出生于中国北京；1968 年在中国台湾大学电机系获学士学位；1969 年赴美国加州大学伯克利分校留学，1970 年获硕士学位，1973 年获博士学位；1997 年当选为美国工程科学院院士；2001 年至 2004 年担任台积电（TSMC）首席技术官；2007 年当选中国科学院外籍院士；2015 年 12 月获得美国国家技术和创新奖（2016 年 5 月 19 日颁奖）。
 
胡正明教授是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。主要科技成就为：领导研究出 BSIM，从实际 MOSFET 晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于 1997 年被国际上 38 家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准。
 
1999 年发明了在国际上极受注目的鳍式场效晶体管（FinFET）和超薄绝缘层上硅体技术（FD-SOI）等多种新结构器件。这两个器件结构都集中在解决器件的漏电问题，罕见的是这两个器件结构最后均被工业界实现了。2011 年 5 月英特尔宣布使用 FinFET 技术，，包括台积电、三星、苹果也都陆续采用 FinFET，胡正明开创了摩尔定律被唱衰后的新契机。英特尔称 FinFET 发明是 50 多年来半导体技术中最根本的转变。
 
对微电子器件可靠性物理研究贡献突出：首先提出热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的 IC 可靠性的计算机数值模拟工具。
 
胡正明教授表示最近一直在进行“负电容晶体管”项目的研究，并称是一种非常有潜力的新技术，可以把半导体功耗降低 10 倍，还可能带来更多好处。
 
胡正明教授在多个场合表示，集成电路产业可再成长 100 年,芯片功耗还可降低 1000 倍。线宽的微缩总是有一个极限的，到了某种程度，就没有经济效应驱动人们把这条路径继续走下去。但是我们并不一定非要一条路走到黑，我们也可以转换一个思路，同样可能实现我们想要达到的目的。

胡正明教授还曾于 1993 年参与创办 BTA Technology；2001 年与 Ultima Interconnect Technology 合并成立 BTA Ultima，后更名 Celestry Design Technologies, Inc.；2003 年被 Cadence 以 1 亿 2 千万美元并购。