与非网 4 月 17 日讯,最近,长江存储(YMTC)发布了 128 层 NAND 闪存 X2-6070 的样本。

 

此前,三星电子和 SK Hynix 去年生产了第一批 128 层 NAND 闪存产品,一旦 YMTC 按计划生产 128 层产品,韩国和中国公司之间的技术差距可能会小于两年。

 

 

在 2015 年中国政府就宣布,中国将在 10 年内实现半导体行业的自给自足。为此,中国的投资额已达一万亿元人民币,并且还在继续努力。三星电子和 SK 海力士担心中国大力投资半导体行业的这一举动,让其市场份额和销售下降。

 

清华紫光集团正在将其业务扩展到移动应用处理器。该公司于 2013 年收购了展讯和 RDA Microelectronics,以增强其系统芯片设计能力。清华紫光集团的 IC 设计公司 Unisoc 计划通过台积电生产 6 纳米 5G 调制解调器和应用处理器。


 
Unisoc 是应用处理器行业新锐,它的 6 纳米应用处理器设计需要基于多方支持才能落地,因为目前只有少数公司,例如高通,三星电子,苹果和华为,能够完成相应设计。


 
负责清华紫光集团 NAND 闪存业务的 YMTC,其总部和制造工厂位于武汉,在武汉封城的两个月里,YMTC 照常运转着工厂,没有中国政府的协助,这是不可能的。


 
三星电子和 SK Hynix 在 2019 年第四季度分别占全球 NAND 闪存市场的 35.5%和 9.6%。在此期间,中国几乎占据了全球半导体需求的一半。去年,这两家韩国公司在中国的销售额分别为 380,405 亿韩元和 125,702 亿韩元。SK 海力士在中国的销售额占该公司总销售额的比例为 46%。在全球 NAND 闪存市场中,包括 YMTC 在内的中国公司可能会做出积极努力,赶上韩国公司,因为该市场的进入门槛相对低于 DRAM 市场。此外,美光科技即将生产 128 层 3D NAND 闪存产品,英特尔有望在今年内制造出业内首批 144 层 NAND 闪存产品。


 
三星电子通过增加投资来应对挑战。例如,自 2017 年以来,该公司已在其位于中国西安的第二座工厂投资了 70 亿美元,并计划增加 80 亿美元的投资,一旦完成投资,该工厂每月 NAND 闪存产量(生产 90 层以上的 3D NAND 闪存芯片)将至少达到 130,000 个。SK 海力士还计划通过增加投资来“阻止”中国公司。在过去三年中,该公司在该行业的年均投资超过 13 万亿韩元。


 
实际上,中国政府的 1 万亿元投资不足以取代三星电子和 SK 海力士。从 2017 年到 2019 年,韩国公司在该行业的投资分别为 7.3 万亿韩元和 4 万亿韩元。同时,中国政府的投资约为 10 万亿韩元,为期 10 年。换句话说,中国半导体公司需要更多的财务资源。


 
这就是为什么有些“专家”指出,中国公司将通过到处挖掘专业人才、税收优惠等措施实现快速跟进策略,而中国政府将继续支持这些公司,直到它们实现规模量产并占据相当的市场份额,例如,尽管相关芯片精度较低,但中国 PC 制造商仍使用这些公司的 DRAM 和 NAND 闪存芯片。