与非网 4 月 20 日讯,据悉,三星目前在开发第七代 V-NAND 闪存,堆叠层数多达 160 层。

 

目前已取得了重大进展,并且已经加快了开发进程。此前,三星一直在用单堆栈技术来生产 3D 闪存,而第七代 V-NAND 将会改用双堆栈技术,以便制作更高层数的 3D 闪存。

 

其实东芝与西数的 BiCS 5 闪存就是使用两层 56 层的堆栈合在一起组成一个 112 层堆栈的芯片的。去年 SKHynix 宣布正在研发 176 层堆栈的 4D 闪存,不过他们家的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同,不能单看层数高低。

 

 

每家的技术方案都不同,美光、SK 海力士有 128 层的,Intel 的是 144 层,而且是浮栅极技术的,三星去年推出的第六代 V-NAND 闪存做到了 136 层,今年也是量产的主力。

 

三星在 NAND 闪存行业占据了超过 1/3 的份额,实力是最强的,不出意外 160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发,继续保持闪存技术上的优势,拉开与对手的差距。

 

此外,上周我国的长江存储公司宣布攻克 128 层 3D 闪存技术,QLC 类型容量做到了 1.33Tb 容量,创造了三个世界第一。