与非网 4 月 20 日讯,此前,中微半导体设备公司开发的高端刻蚀设备已运用在国际知名客户 65 nm 到 7 nm 的芯片生产线上。

 

同时,公司根据先进集成电路厂商的需求,已开发出 5nm 刻蚀设备用于若干关键步骤的加工,并已获得行业领先客户的批量订单——虽然中微没有明说,但是这家客户就是台积电,也只有他们量产了 5nm 工艺。

 

 

目前公司正在配合客户需求,开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺,能够涵盖 5 nm 以下刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。

 

在 3D 闪存领域,中微半导体电容性等离子体刻蚀设备可应用于 64 层的量产,同时根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖 128 层关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。

 

此外,中微公司的电感性等离子刻蚀设备已在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产。

 

根据客户的技术发展需求,正在进行下一代产品的技术研发,以满足 7 nm 以下的逻辑芯片、1X nm 的 DRAM 芯片和 128 层以上的 3D NAND 芯片等产品的 ICP 刻蚀需求,并进行高产出的 ICP 刻蚀设备的研发。

 

据悉,中微半导体 2019 年实现营业收入 19.47 亿元,同比增长 18.77%;实现归母净利润 1.89 亿元,同比增长 107.51%。