根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,中国 NAND Flash 厂商长江存储(YMTC)已在第一季将 128 层 3D NAND 样品送交存储控制器厂商,目标第三季进入投片、年底前量产,拟用于 UFS、SSD 等各类终端产品,并同时出货给模组厂。考量客户导入时程,预估长江存储新产品可能率先影响第四季 Wafer 市场合约价,并自 2021 年起对 Client SSD、eMMC/UFS 等市场供给产生实质贡献,在供给增加的情况下,价格下跌的可能性也将提高。

 

集邦咨询表示,受到疫情影响,智能手机及笔记本电脑等终端需求将受到不小冲击,并对 NAND Flash 主流供应商获利能力造成影响,抑制未来持续扩产的幅度。相较之下,长江存储目前在各类应用的市占规模仍小,因此受疫情影响较低。当前目标将着重于与 OEM 进行 64 层 TLC 的相关产品导入及提升良率,并赶在今年内送交 128 层产品样品,将同时包含 TLC 以及 QLC 产品,以扩大客户基础。

 

3D NAND 堆栈难度渐增,有利长江存储缩小差距

随着 3D NAND Flash 堆栈达到 90 层以上,主要供应商在更高层数蚀刻及堆栈技术的发展难度逐渐增加。观察各供应商的技术路线图,在 1XX 层的产品世代已有分歧:尽管三星(Samsung)、SK 海力士(SK Hynix)已推出 128 层产品,但铠侠 / 西数(Kioxia/WD)、美光(Micron)、英特尔(Intel)的 112/128/144 层产品要到下半年才会放量,相比前几代 3D NAND 产品的发展进程来得更久,有利于长江存储的 128 层产品迎头赶上。

 

除此之外,2019 年 NAND Flash 的价格平均跌幅达 46%,导致主要供应商陷入亏损,资本支出因而转为保守,产出增长规划亦创下历史新低,这也让长江存储有了拉近差距的机会。

 

2021 年长江存储产能预估占整体 NAND Flash 约 8%

身为新进供应商的长江存储目前拥有武汉厂,今年目标是成都厂开始投产,并逐步完成武汉厂区剩余二座厂房的兴建与扩产。除了扩张规划积极,长江存储也是国家大基金的重点扶植厂商,可以预期 NAND Flash 市场竞争将更为严峻,长期价格面临持续走跌的压力。