三安集成电路有限公司(Sanan IC),拥有先进化合物半导体制造平台的世界级晶圆工厂,今日宣布,在其不断扩展的业务中,将对全世界开放其先进的宽禁带电力电子代工服务将,其中包括 650V 和 1200V SiC 器件和 650V HEMT 功率器件的加工服务。

 

“三安集成母公司三安光电有限公司,拥有非常丰富的化合物半导体生产经验,这促使我们为电力电子产品建立属于自己的宽禁带半导体生产线,”三安集成的 CEO, Raymond Cai 说道,“并且,我们意识到电力电子产业需要尖端的加工服务。三安集成有能力为高速发展的电力电子市场提供一个综合性平台,给予无与伦比的服务和安全质量保障,协助客户进行样品生产或低门槛量产。”

 

根据 Yole 分析报告,GaN 电力电子市场在 2017-2023 年间,预计将以 55%的年复合增长率速度发展。另一份 Yole 市场技术报告指出,SiC 电力电子市场 2018-2024 的年复合增长率将达到 29%。

 

随着 GaN 和 SiC 的解决方案分别在智能手机和大数据领域大放异彩,这两项技术已经被电力电子器件行业认可,用于系统设计重塑。三安集成致力于推动 GaN 和 SiC 技术革新,提供综合性的电力电子代工服务,拥有丰富的大规模生产经验,承诺以高安全质量标准。在以下应用领域,三安集成是您成功道路上的理想合作伙伴:

 

  • EV & HEV

 

  • UPS with PFC

 

  • 充电器和电池续航

 

  • 光伏逆变器和能源存储

 

  • 发动机驱动


在 2019 年 6 月,三安集成发布了 G06P111, 一项复合 JEDEC 标准的 650V 强化 HEMT GaN 制程技术。此后,三安集成研发了数款用于 GaN 代工的 MPW。使用三安集成的制程设计组件和 e- 加工服务,设计师可以体验模拟 GaN 器件的设计和表现,在大规模量产前确保设计无误。

 

今年,公司计划提供更广泛的基础产品 MPW 流片,包括 200V 和 100V 的低压 E-HEMT 加工服务和高电流 M3 加工。更多的基础研发计划,包括 GaN 集成电路和高可靠性 D-MISFET,将在下半年开展。

 

三安集成的生产管理系统已经获得了数个国际证书的认证,包括 IATF 16949:2016, ISO 9001:2015 和 ISO 27001:2013,意味着公司严格的信息安全规程和知识产权保护的客户承诺。为了使客户的产品更快进入市场,三安集成同时提供前期产品开发的一站式服务,包括背铜工艺、背磨工艺、背面金属和切割工艺、电路测试和开放式引线框架的标准塑料封装。