与非网 4 月 23 日讯,近日,台积电发布在 2019 年年报中表示,5nm 已经进入量产,针对 3nm 技术的开发,EUV 微影技术展现优异的光学能力与符合预期的芯片良率。同时,2nm(N2)今年还会加快研发速度。

 

据悉,今年台积电将在 N2 及更先进制程上将着重于改善 EUV 技术的质量与成本。对于 3nm、2nm 这些更先进的制程工艺,技术挑战还是次要的,最关键的是成本,因为随着半导体工艺的演进,不但台积电、三星这些代工厂需要投入动辄数百亿美元的资金用于研发、建厂,芯片设计公司也必须跟着烧钱,一方面是芯片设计难度的急剧增加,另一方面也要帮助代工厂均摊成本。

 

 

有数据显示,7nm 工艺芯片的研发需要至少 3 亿美元的投资,5nm 工艺上平均要 5.42 亿美元,3nm、2nm 工艺还没数据,但起步 10 亿美元是没跑了,至少 2nm 工艺不会低于这个数。

 

另外,台积电看好整合型扇出(InFO)等先进封装保持强劲成长,今年投入包括系统整合芯片(SoIC)等 3D 先进封装技术开发,以提供业界系统级解决方案。

 

台积电董事长刘德音及总裁魏哲家在年报中也联名发布致股东报告书,提及台积电去年达成许多里程碑,尽管面临国际间贸易紧张局势所带来业务上的逆风,年度营收依旧连续 10 年创下纪录。 台积电去年提供 272 种不同的制程技术并为 499 个客户生产 10,761 种不同产品,在晶圆代工市场占有率提升至 52%。