耐威科技披露年报,为配合业务结构的调整,公司名称准备变更为“赛微电子”。同时,业务分类也做了进一步调整,MEMS 业务收入比重连续几年上升,目前已经占据总营收的 74.54%。在第三代半导体 GaN 领域,公司 GaN 外延片实现销售收入的零突破,已经开发数款 GaN 功率器件产品并进入小批量试产。耐威科技已经正式升级为集 MEMS、第三代半导体为一体的半导体公司。


刚刚,耐威科技(300456)发布 2019 年年度报告。

 

报告显示,2019 年实现营业收入 7.18 亿元,同比增长 0.77%;净利润 1.21 亿元,同比增长 27.62%;扣非后净利润 6,692.61 万元,较上年下降 18.60%。(非经常损益主要来源于出售股子公司重庆航天新世纪公司 40.12%股权。)

 

 

同时,耐威科技也公布了年度分配预案,每 10 股派发 0.3 元现金红利。

 

坚持年年分红的高科技企业,在 A 股不常见,科技发展与股东利益,两手都要抓,两手都要硬。

 

——业务调整,战略升级——
除此之外,耐威科技也公布,为配合公司业务结构的调整,更加贴合公司经营实际,公司拟对公司名称、证券简称及经营范围进行变更,证券简称由“耐威科技”变更为“赛微电子”。

 

相应的,在今年的年度报告中,因不同的业务收入及利润贡献结构发生了较大变化,耐威科技也对公司行业分类做了重新划分和调整。

 

由原来的 MEMS 行业、导航行业、航空电子行业、无人系统行业、智能制造行业、第三代半导体行业调整划分为半导体行业(MEMS、GaN)、特种电子行业(导航、航空电子)。

 

公司名称改变、业务分类调整,意味着耐威科技公司发展战略的重大调整。

 

自 2016 年收购瑞典 Siles(赛莱克斯),正式大规模切入 MEMS 领域,此次耐威改名为“赛微电子”,估计跟赛莱克斯的“赛”也有很大关系。

 

——MEMS 已经上升为核心业务——
耐威科技的 MEMS 业务包括工艺开发和晶圆制造两大类。今年耐威科技的业绩表明,MEMS 业务营收 5.35 亿元,已经占据总营收的 74.54%,其中 MEMS 晶圆制造占比 42.77%、MEMS 工艺开发占比 31.77%。

 

MEMS 业务经营采用“工艺开发+代工生产”的模式。“工艺开发(NRE)”即根据客户提供的芯片设计方案,利用工艺技术储备及项目开发经验,进行产品制造工艺流程的开发,为客户提供定制的产品制造流程;“代工生产(Production)”模式则是 MEMS 代工厂商在完成 MEMS 产品的工艺开发,实现产品设计固化、生产流程固化后,为客户提供批量代工生产服务。

 

 

其中控股子公司 Silex 已经成为全球第五大 MEMS 代工企业,纯 MEMS 代工业务占全球第二位。

 

除了瑞典 MEMS 代工工厂,耐威科技在北京的 8 英寸 MEMS 晶圆厂建设也紧锣密鼓进行中,目前厂房建设接近尾声,主厂房及支持层区已接近完工,厂务系统已开始运转调试并开始进行生产设备的搬入及安装调试。8 英寸 MEMS 产线的一期规划 1 万片 / 月产能,预计将在 2020 年第三季度建成并投入使用。

 

耐威科技已经成功转型为半导体集成电路 MEMS 龙头企业。

 


——第三代半导体(GaN)蓄势待发——
耐威科技在 MEMS 领域的实力已经证实。我们再来看一下耐威科技在第三代半导体领域的进展情况:

 

根据年报披露,公司第三代半导体主要针对氮化镓(GaN)材料,涵盖 GaN 外延片和 GaN 器件设计(功率及微波器件)两大领域。

 

GaN 外延片方面,以 6-8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)两种为主,主要由控股子公司聚能晶源负责,发布了 8 英寸硅基 GaN 外延晶圆与 6 英寸碳化硅基 GaN 外延晶圆,同时创造性地将自有先进 8 英寸 GaN 外延技术创新性地应用在微波领域,开发出了兼具高性能与大尺寸、低成本、可兼容标准 8 英寸器件加工工艺的 8 英寸 AlGaN/GaN-on-HR Si 外延晶圆。

 

关于 GaN 外延片,不同的异质外延介绍,请参见“科创之道”之前的文章,《第三代半导体投资分析》。

 

GaN 器件方面,由控股子公司聚能创芯负责,向通讯设备、数据中心、新型电源、智能家电等领域,已经陆续研发、推出不同规格的功率器件产品及应用方案,并同时推动微波器件产品的研发。

 

当然,目前 GaN 业务还处于早期阶段,并没有给 2019 年业绩带来实质性贡献。

 

但根据年报披露,GaN 外延材料已经实现销售的零突破。

 

已建成第三代半导体外延材料制造项目(一期),掌握了业界领先的 8 英寸硅基 GaN 外延与 6 英寸碳化硅基 GaN 外延生长技术,积极展开与下游全球知名晶圆制造厂商、半导体设备厂商、器件设计公司以及高校、科研机构等的合作并进行交互验证。销售了 60 余片,销售金额为 45.06 万元。

 

在 GaN 器件方面,公司已陆续研发、推出不同规格的功率器件产品及应用方案,已推出数款 GaN 功率器件产品并进入小批量试产,与知名电源、家电及通讯企业展开合作,进行器件系统级验证和测试,同时持续推动微波器件产品的研发。

 

注:GaN 是第三代半导体材料及器件的一个类别,因其禁带宽度(Eg)大于或等于 2.3 电子伏特(eV),又被成为宽禁带半导体材料,与第一、二代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。