与非网 6 月 1 日讯,据悉,SK 海力士已经开始着手研发 1a nm DRAM 芯片,预计将会在制程中引入 EUV 光刻技术。

 

据了解,1a nm DRAM 在内部的代号为“南极星”,工艺节点将在 15nm 左右。目前 SK 海力士 DRAM 营收主力为 1ynm 和 1znm 级,预计在今年下半年这两种制程产量将提高到 DRAM 总产量的 40%。此外,SK 海力士将继续推进 DRAM 的制造技术。

 

报道指出,“Canopus”将是 SK 海力士迄今面临的最关键项目之一,因为这是该公司首度应用 EUV 光刻技术生产 DRAM。不过一位消息人士指出:“当下最重要的问题是,SK 海力士能否通过使用 EUV 技术确保其产品的竞争力。”

 

 

根据此前报道,三星 3 月份宣布,已出货 100 万个基于第四代 10nm 级 EUV 工艺的 DDR4 DRAM 模块,并预计明年量产,同时该公司未来几代的 DRAM 产品将会全面导入 EUV 技术。而据悉,SK 海力士旗下该款 1a 级 DRAM 预计将在 2021 年推出,届时围绕 EUV 的芯片制造市场竞争将更加激烈。

 

据悉,EUV 技术相较传统的光刻技术减少了多重图形制作中的重复步骤,并提高了图案的分辨率,从而提高了性能、产量并缩短了开发时间。


然而,其昂贵的费用一直是制约其大规模普及的根本原因,据悉,第一代 EUV 设备价格高达 1.2 亿美元 / 台,除了如此高昂的设备投入之外,相关维护成本也十分巨大。即便如此,在技术就是王道的存储产业中,各厂商也将不遗余力追求更先进的工艺,确保自身的领先地位。